HFT-1000 Hybrid-Schichtdickenmesssystem | Himalaya
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Himalaya HFT-1000 Hybrid-Filmdickenmesssystem

Für die Gehäusefertigung von Leistungshalbleitern und die Wafer-Metrologie

Kombination von Spektralreflexionsmessung (SR) und spektroskopischer Ellipsometrie (SE) in einer automatisierten, SECS/GEM-fähigen Plattform.


Überblick

DerHFT-1000ist das erste System zur Messung der Schichtdicke, das speziell für die besonderen Anforderungen der Gehäusefertigung von Leistungshalbleitern entwickelt wurde. Es misstdie attach films (DAF),Schimmelpilzverbindungen,Unterfüllung,Passivierungsschichten, UndWafer-Belastung– von 0,5 nm bis 500 µm – mit einem einzigen Gerät.

Im Gegensatz zu Einmodensystemen, die die Wahl zwischen Dünnschicht-Ellipsometrie und Dickschicht-Reflektometrie erzwingen, schaltet das HFT-1000 automatisch zwischen den beiden Verfahren um.Spektrale Reflexion (SR)UndSpektroskopische Ellipsometrie (SE)Betriebsarten. Das Ergebnis: schnellere Zykluszeiten, weniger Messstationen und geschlossene Prozessregelung über SECS/GEM.

„Unsere Verpackungsingenieure haben die Messzeit für die DAF-Dickenmessung von 8 Sekunden (Kontaktstift) auf 0,5 Sekunden reduziert – bei gleichzeitig höherer Wiederholgenauigkeit.“
— Dr. Jian Li, leitender Verfahrenstechniker, Himalaya

    Hauptmerkmale

    Besonderheit Nutzen
    Hybrid SR + SE in einem Kopf Messen Sie sowohl dicke (500 nm–500 µm) als auch dünne (0,5 nm–50 µm) Schichten, ohne das Werkzeug wechseln zu müssen.
    Wiederholgenauigkeit im Subnanometerbereich ≤0,013 nm (statisch) auf 202 nm SiO₂ – vertrauen Sie Ihren Prozesskontrollgrenzen
    Integrierte Wafer-Spannungsberechnung Verwendet die Stoney-Formel mit integrierter Laser-Bogenmessung – kein zusätzliches Werkzeug erforderlich
    SECS/GEM (SEMI E30, E37) Nahtlose Integration mit Werkshost, AMHS und MES. Online-/Offline-Modus.
    Breitbandoptik (250–1000 nm) Standard; erweiterbar auf DUV (193 nm) oder SWIR (2500 nm) für fortschrittliche Materialien
    Hochpräziser Bewegungstisch Wiederholgenauigkeit ±1 µm, Scangeschwindigkeit 100 mm/s – vollständiges 12-Zoll-Wafer-Mapping in

    Technische Spezifikationen

    Parameter Wert
    Dickenbereich (SR-Modus) 500 nm – 500 µm
    Dickenbereich (SE-Modus) 0,5 nm – 50 µm
    Wellenlängenbereich (Standard) 250 – 1000 nm
    Erweiterbare Optionen 193 nm (DUV) oder 2500 nm (SWIR)
    Wiederholbarkeit (1018 nm SiO₂ auf Si) Statisch: ≤0,026 nm; Dynamisch: ≤0,034 nm
    Reproduzierbarkeit (202 nm SiO₂ auf Si) Statisch: ≤0,013 nm
    Messfleckgröße 10 µm – 200 µm (vom Benutzer wählbar)
    Etappenreisen 300 mm × 300 mm (12-Zoll-Wafer, Paneele)
    Stufenwiederholbarkeit ±1 µm
    SECS/GEM-Unterstützung Ja (E30, E37, HSMS)
    Stressmessung Inklusive (Laserbogen + Stoney-Formel)
    Abmessungen (Systemeinheit) 800 mm (B) × 900 mm (T) × 1700 mm (H)
    Leistung 100–240 V AC, 50/60 Hz, 500 W

    Anwendungen – Erprobt an Produktionsmaterialien

    Material Dickenbereich Modus Typische Testzeit
    Die Attach Film (DAF) 10–50 µm SR 0,5 Sek./Punkt
    Formmasse (Epoxidharz) 100–500 µm SR 0,5 Sek./Punkt
    Siliziumnitrid-Passivierung 100–500 nm SE 2 Sek./Punkt
    Polyimid-Pufferschicht 5–15 µm SR oder SE 2 Sek./Punkt
    SiO₂ auf Si (dünnes Gate-Oxid) 1–200 nm SE 2 Sek./Punkt
    Doppelschicht (Polyimid + SiO₂) 10 µm + 500 nm SR+SE sequenziell 4,5 Sek./Standort

    ✅ Geprüft amDAF-Laminierung,Kompressionsformen,Die Bonding, UndWafer-Level-PassivierungZeilen.


    So funktioniert es

    1. Ladenein Wafer oder Substrat (manuell oder AMHS).

    2. WählenRezeptur (Materialstapel, Messstellen). Das System wählt automatisch SR oder SE aus.

    3. Messen– Breitbandoptik und Präzisionsbühne erfassen Spektraldaten.

    4. AusgabeDickenkarte, Brechungsindex (n,k) und Waferspannung.

    5. SchickenDatenübertragung an den Werksrechner über SECS/GEM zur Regelung des geschlossenen Regelkreises.


    Warum sollte man sich für den HFT-1000 und nicht für Alternativen entscheiden?

    Wettbewerbsansatz Einschränkung HFT-1000-Vorteil
    Einmoden-Ellipsometer Dicke Schichten (>50 µm) können nicht gemessen werden. Der SR-Modus deckt Bereiche bis 500 µm ab.
    Konfokales / Weißlichtinterferometer Schlechte Auflösung auf transparenten Dünnschichten Der SE-Modus löst Auflösungen von
    Kontaktstift-Profiler Langsam, beschädigt weiche Filme (DAF) Berührungslos, 0,5 Sek./Punkt
    Separates Spannungsmesswerkzeug Zusätzliche Handhabung, Ausrichtungsfehler Integrierter Bogen + Stoney in einem Werkzeug

    Werksintegration und -unterstützung

    • SECS/GEM-Standard– Plug-and-Play-fähig mit bestehenden MES-Systemen (werksseitig abnahmegeprüft).

    • Offline-Modus– Eigenständiger Betrieb für Ingenieurstudien.

    • Ferndiagnose– Sicherer VPN-Zugang für den Himalaya-Support.

    • Kalibrierungssatz– Enthält NIST-rückführbares SiO₂ auf Si-Referenzwafern.


    Bestellinformationen

    Modell Beschreibung
    HFT‑1000‑SRSE Basissystem: 250–1000 nm, Bewegungstisch, SECS/GEM, Spannungsmodul
    -DUV Optionale DUV-Erweiterung (193 nm für ultradünne High-k-Filme)
    -SWIR Optionale SWIR-Erweiterung (2500 nm für die Inspektion dicker Epoxid- oder Silikonschichten)
    -AMHS Schnittstelle für automatisiertes Materialhandling (Ladeanschluss, Zuordnung)

    Kundenspezifische Konfigurationen möglich – wenden Sie sich an den Vertrieb.


    Angebot anfordern oder Demo anfordern

    Wir bieten Vorführungen vor Ort anJiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd.(Suzhou, China) oder Ferntests in Echtzeit mit Ihren Musterwafern.

    📧E-Mail: seaman@himalayasemi.com
    📞Telefon: +86-15995822759
    🌐Web: www.himalayasemi.com

    Firmenadresse:
    Zimmer 4234, Gebäude 11, Nr. 1258 Jinfeng South Road, Mudu Town, Wuzhong District, Suzhou City, China