Laser-Sägesystem für Siliziumwafer | Stealth-Sägeverfahren für SiC und Saphir
Auf einen Blick (Produktionsübersicht)
- Materialien:Si-, SiC-, Saphir- und PV/Solar-Wafer
- Wafergrößen:4", 6", 8" (Standard), 12" (Optional)
- Maximale Verarbeitungsgeschwindigkeit:Bis zu1000 mm/s
- Lasertyp: Infrarot (IR),10–200 kHzWiederholungsfrequenz
- Verfahren:Interne Modifikation → Filmausdehnung/-trennung → Spalten (Düsentrennung)
- Vorteile:geringer Splitteranteil, geringer Abfall, Potenzial für schmale Straßen, Trockenverfahren (kein Reinigungsschritt)
Anwendungsbereich (Pan-Semiconductor)
Das heimliches Würfeln Das System wurde für schwer zu zerspanende Werkstoffe und ertragssensible Anwendungen entwickelt:
- Siliziumwafer (Si):Logik-, Speicher- und allgemeine Halbleiterbauelemente
- Siliziumkarbid (SiC):Leistungshalbleiter (z. B. MOSFETs), bei denen die Reduzierung der Schnittverluste von entscheidender Bedeutung ist.
- LED-Saphir-Wafer:hohe Kantenqualität zur Unterstützung der Lichtausbeute
- Solar-/Photovoltaikmaterialien:Hochgeschwindigkeitsverarbeitung für kosteneffizienten Durchsatz
Weitwinkel-Konturkorrekturist enthalten, um die Verarbeitung zu unterstützen.teilweise oder beschädigte Waferautomatisch, wodurch unnötiger Ausschuss und manuelle Eingriffe reduziert werden.
Wie Stealth-Würfeln funktioniert (Würfeln mit interner Modifikation)
Im Gegensatz zum Sägen mit einem Messer ist das heimliche Zerkleinern eintrocken, berührungslosMethode. Der „Schnitt“ wird erstellt.innenauf dem Wafer, nicht an der Oberfläche.
3-stufiger Prozess
- Interne Fokussierung:Der IR-Laser durchdringt die Waferoberfläche und fokussiert sich in einer kontrollierten Tiefe innerhalb des Substrats.
- Bildung der Modifikationsschicht:Durch die Laserenergie wird entlang der Trennlinien eine kontrollierte innere „Laserschicht“ (Mikroriss / modifizierter Bereich) erzeugt.
- Klebebandausdehnung und -spaltung:Eine äußere Kraft (typischerweise die Ausdehnung von Folie/Band) trennt den Wafer sauber entlang der inneren Spannungslinien.
Ergebnis:Saubere Trennung mit weniger Ausbrüchen und Ablagerungen im Vergleich zum mechanischen Schneiden.
Typischer Prozessablauf:
- Laserbearbeitung zur Erzeugung der inneren Schneideschicht
- Filmausdehnung / -trennung
- Spalten (Trennung der Matrize)
Hauptmerkmale – Entwickelt für die Produktion
Weitwinkel-Konturkorrektur (unterstützt gebrochene/teilweise beschädigte Wafer)
Die automatische Konturkorrektur ermöglicht eine stabile Bearbeitung auch bei unvollständigen oder beschädigten Wafern, verbessert die Auslastung und reduziert manuelle Nacharbeiten.
Barcode-Scanning für die Rezeptverwaltung
Die Barcode-gesteuerte Parameterladung unterstützt eine konsistente Produktionssteuerung und einen schnellen Rezeptwechsel bei der Fertigung mit hoher Produktvielfalt.
Hochpräzise Bewegungsplattform (stabile, wiederholbare Bearbeitung)
Die Plattform ist für Hochgeschwindigkeitsbewegungen mit hoher Genauigkeit ausgelegt, um eine gleichmäßige Bildung interner Schichten bei Produktionsdurchsatz zu gewährleisten.
Autofokus + dynamischer Autofokus (konstante Einstelltiefe)
Fokusstabilität ist beim Stealth-Dicing unerlässlich. Das System nutzt Autofokus und dynamischen Autofokus, um eine gleichbleibende interne Bearbeitungstiefe über Wafer mit variierender Oberflächenhöhe hinweg zu gewährleisten (die Stabilität der SD-Schichttiefe wird durch das automatische Follow-Fokus-Design unterstützt).
Multi-CCD-Bildverarbeitungskonfiguration
Mehrere CCD-Optionen unterstützen die automatische Ausrichtung und Handhabung, darunter:
- Winkelkorrektur
- Niveaukorrektur
- Referenzpunktkalibrierung
- automatische CCD-Helligkeitsanpassung
- Erkennung/Handhabung von Waferresten
Höhere Waferausnutzung im Vergleich zum Sägen mit einem Schneidemesser
Im Vergleich zum Schneiden mit einem Messer (Rad) kann das Schneiden von Straßen reduziert werden durchmehr als 50 %Dadurch wird die Chip-pro-Wafer-Dichte erhöht – was insbesondere bei teuren Substraten wie SiC und Saphir von Vorteil ist.
Trockenverfahren (keine Reinigung erforderlich)
Da die Verarbeitung berührungslos und trocken erfolgt, können die Reinigungsanforderungen im Zusammenhang mit Rückständen reduziert und der Backend-Workflow vereinfacht werden.
Automatisierungsbereit (4/6/8 Zoll Standard, 12 Zoll optional)
Automatisches Be- und Entladen unterstützt einen effizienten Betrieb und ermöglicht es einem Bediener, mehrere Werkzeuge zu überwachen (abhängig vom Produktionsablauf).
Schlüsselmodule, die die Leistung beeinflussen
Kundenspezifisches IR-Optiksystem + Laserquelle
- Dedizierte IR-Laserquelle und angepasster optischer Pfad
- Wiederholungshäufigkeit: 10–200 kHz
- Das optische Design unterstützt eine stabile Energiezufuhr für eine gleichbleibende interne Modifikations- und Produktionsgeschwindigkeit
Hochgeschwindigkeits- und hochpräzise Bewegungsplattform + Bewegungssteuerung
- Hochgeschwindigkeits-X/Y-Bewegung für hohen Durchsatz
- Präzisionsmechanik und Steuerung für gleichbleibende Linienqualität und Wiederholgenauigkeit
Automatisches Follow-Focus-System
Ein präziser Abstandssensor misst die Waferoberflächenhöhe in Echtzeit. Der Nachfokusmechanismus passt die Fokusposition entsprechend an, um die interne Modifikationstiefe trotz Oberflächenvariationen zu stabilisieren.
Globale Unterstützung und Logistik
Wir verstehen, dass die Halbleiterfertigung ein globaler 24/7-Betrieb ist. Diese Anlagen tragen aktuell zur Ertragssteigerung in wichtigen Halbleiterzentren weltweit bei.
- Asien-Pazifik:Volle Unterstützung für Großserienfertigungsanlagen inChina, Taiwan, Japan und SüdkoreaDie
- Südostasien:Logistik für Backend-Montagelinien eingerichtet inMalaysia, Singapur, Vietnam und ThailandDie
- Westliche Märkte:Wir betreuen Forschungs- und Entwicklungseinrichtungen sowie Produktionsstätten in ganzEuropa (Deutschland, Großbritannien, Frankreich)UndAmerika (USA, Mexiko, Brasilien)Die
Technische Spezifikationen (Konsistent)
| Parameter | Spezifikation |
|---|---|
| Wafer-Kompatibilität | 4", 6", 8" (Standard), 12" (Optional) |
| Maximale Verarbeitungsgeschwindigkeit | Bis zu1000 mm/s |
| Lasertyp | Infrarot (IR) |
| Wiederholungsfrequenz | 10–200 kHz |
| Positioniergenauigkeit (Wiederholbarkeit) | ±1 µm |
| Geradheit der X-Achse | ±1 µm / 300 mm |
| Bewegungsbereich (X/Y) | 430 mm × 550 mm |
| Wiederholgenauigkeit der Z-Achse | ±1 µm |
| Theta (θ) Rotation | 210°Reichweite,15 BogensekundenAuflösung |
| Bühnenebenheit | ≤ ±5 µm(innerhalb eines Bereichs von 200 mm) |
| Anforderungen an die Einrichtung | 220 V, 1-phasig, CDA 0,5–0,8 MPa, Reinraumklasse 1000 |
Anlagenanforderungen (Installationsbedingungen)
- Temperatur:22 °C ± 2 °C
- Luftfeuchtigkeit:30–60 %
- Sauberkeit:Reinraum der Klasse 1000 oder besser
- CDA (Luftdruck):0,5–0,8 MPa
- Leistung:Einphasig 220 V, 50 Hz, ≥20 A
- Stromschwankungen:
- Gerätegröße:1500 (B) × 2100 (L) × 2180 (H) mm
- Nettogewicht:3,2 Tonnen
- Vermeiden Sie die Installation in der Nähe von: starken Vibrations-/Stoßquellen, starken hochfrequenten Störungen, Zonen mit schnellen Temperaturänderungen.
Warum sollten Sie sich für diese Laser-Silizium-Trennmaschine entscheiden?
Diese unauffällige Trennanlage wurde für Hersteller entwickelt, die die Grenzen des mechanischen Sägens überwinden wollen, insbesondere für:
- Herstellung von SiC-Leistungsbauelementen:Reduzierung des Schnittverlusts bei teuren Substraten bei gleichzeitiger Verbesserung der Kantenqualität
- LED/Saphir-Linien:Unterstützung glatter Kanten für verbesserte optische Leistungskonsistenz
- Produktion mit hohem Produktmix:Barcode-gesteuerter Rezeptworkflow + Bildverarbeitungsfunktionen
- Fabriken mit dem Ziel eines stabilen Durchsatzes:Hochgeschwindigkeits-Bewegungsplattform und dynamische Fokussierung für wiederholbare Produktionsergebnisse
FAQ (Häufig gestellte Fragen zur Produktion)
1) Worin besteht der Unterschied zwischen heimlichem Würfeln und Würfeln mit der Klinge?
Beim Stealth-Dicing wird mithilfe eines Infrarotlasers eine interne Modifikationsschicht erzeugt und durch kontrollierte Kraft getrennt, anstatt die Oberfläche mechanisch mit einer Klinge durchzuschneiden.
2) Handelt es sich um ein Nassverfahren? Ist eine Reinigung erforderlich?
Es wird als eintrockenDas Verfahren ist so konzipiert, dass im Vergleich zum Sägen mit einem Sägeblatt weniger Abfall und Reinigungsschritte anfallen.
3) Welche Wafergrößen unterstützt das System?
4", 6", 8" Standard, mit12" optionalDie
4) Wie wird im System eine gleichbleibende Tiefe der inneren Schichten gewährleistet?
Es verwendetAutofokus + dynamischer Autofokusmit einemautomatischer FolgefokusMechanismus basierend auf Echtzeit-Oberflächenhöhenmessung.
5) Kann das Werkzeug auch mit unvollständigen oder beschädigten Wafern umgehen?
Ja.Weitwinkel-KonturkorrekturUnterstützt die automatische Verarbeitung von teilweise/gebrochenen Wafern zur Reduzierung von Ausschuss.
Kontaktieren Sie uns (Beispieldemo / Angebot)
Bitte senden Sie uns Ihr Wafermaterial (Si/SiC/Saphir), die Wafergröße, die Dicke und die gewünschten Anforderungen an die Straßenbreite. Wir können Ihnen ein Prozessfenster empfehlen und eine Musterbewertung oder einen Demo-Workflow vereinbaren.