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Wafer-Level TGV Laser Micro-Via Drilling System for Advanced Glass Substrate Packaging
Ultrafeine Durchkontaktierungen
≤5 µm Durchmesser, Aspektverhältnis bis zu 1:100 für hochdichte Verbindungen.
Hoher Durchsatz
≥5000 Punkte/s für Massenproduktion und Großserienfertigung.
Multi-Material
Quarz-, Borosilikat-, Natronkalk- und Aluminosilikatglas.
Fähigkeit zur Herstellung mehrerer Formen
Runde, quadratische, blinde, durchgehende und Mikrograben-Vias.
Präzision
Wiederholgenauigkeit ≤±1 µm; Mustergenauigkeit ≤±3 µm.
Automatisierte Handhabung
Unterstützt 4–12 Zoll große Wafer, Beladung im Korbsystem.
Kerntechnologien
Lasermodifikationsphysik
Kontrollierte laserinduzierte Mikrostrukturierung für saubere Durchkontaktierungen.
Kontrollierte laserinduzierte Mikrostrukturierung für saubere Durchkontaktierungen.
Hochpräzise Bewegungssteuerung
Wiederholgenauigkeit des XY-Tisches ≤1 µm.
Wiederholgenauigkeit des XY-Tisches ≤1 µm.
Optimierung der thermischen Spannungen
Minimiert Substratrisse und Eigenspannungen.
Minimiert Substratrisse und Eigenspannungen.
Automatisierte Waferhandhabung
4–12 Zoll, Korb-Be- und Entladevorrichtung, FOUP-kompatibel.
4–12 Zoll, Korb-Be- und Entladevorrichtung, FOUP-kompatibel.
Technologievergleich
| Technologie | Über die Größe | Seitenverhältnis | Materialverträglichkeit | Anmerkungen |
|---|---|---|---|---|
| Laser TGV | ≤5 µm | Bis zu 1:100 | Quarz, Borosilikat, Natronkalk, Aluminosilikat | Ideal für hochdichte Verpackungen |
| Mechanisches Bohren | >30 µm | Beschränkt | Langsam, Absplitterungsgefahr | |
| Chemisches Ätzen | 10–50 µm | 1:5–1:20 | Nur Glas | Schlechte Formkontrolle, isotrop |
| Ultraschallbohren | >20 µm | Beschränkt | Nicht geeignet für ICs mit feiner Rasterteilung |
Technische Spezifikationen
Substratgröße4–12 Zoll runde oder quadratische Glasplättchen
LadeverfahrenAutomatischer Korb-/Kassetten-Einzug
VerarbeitungsmethodeFester Laser + hochpräzise XY-Bewegungsplattform
Plattformgeschwindigkeit≤1000 mm/s
Minimaler Via-Durchmesser5 µm
Maximales Seitenverhältnis1:100
Plattformwiederholbarkeit≤±1 µm
Positionsgenauigkeit
Mustergenauigkeit≤±3 µm @ 300 mm Feld
Durchsatz≥5000 Punkte/s
Anwendungen
IC-Gehäuse auf Glasbasis Display-Treiber-ICs Hochdichte Interposer MEMS- und Sensormodule Optische und HF-Gehäuse HPC- und KI-Beschleuniger (Glas-Interposer)
Auswahlhilfe
Wählen Sie dieses System, wenn Ihre Produktion Folgendes erfordert:
- Ultrafeine Durchkontaktierungen ≤5 µm
- Hohes Seitenverhältnis (1:100)
- Mehrformbohrungen (Blind-, Durchgangs-, Grabenbohrungen)
- Hoher Durchsatz (≥5000 Punkte/s)
- Kompatibilität mit Mehrglassubstraten
- Enge Ausrichtungsgenauigkeit (
Zukunftstrends
Schnelle Übernahme
Glas-Interposer für HPC- und KI-Beschleuniger.
Anforderungen an Durchkontaktierungen unter 5 µm
Zunehmender Bedarf an höherer Verbindungsdichte.
Hybridverbindung & Kupferplattierung
Nahtlose Integration in Arbeitsabläufe der Metallfüllung.
Panel-Level Packaging (PLP)
Skalierung auf großformatige Glassubstrate.
Häufig gestellte Fragen
Frage 1: Was ist die kleinstmögliche Via-Größe?
A: 5 µm, was hochdichte Verbindungen für fortschrittliche Glasgehäuse ermöglicht.
Frage 2: Welche Glasmaterialien sind kompatibel?
A: Quarz, Borosilikatglas, Natronkalkglas, Aluminosilikatglas und mehr.
Frage 3: Welche Seitenverhältnisse sind erreichbar?
A: Bis zu 1:100 für tiefe, schmale Durchkontaktierungen ohne Rissbildung.
Frage 4: Wie hoch ist der Bohrdurchsatz?
A: ≥5000 Punkte/s, geeignet für die Massenproduktion und Großserienfertigung.
Frage 5: Welche Anwendungen profitieren am meisten?
A: IC-Gehäuse aus Glas, Displaytreiber, MEMS, hochdichte Interposer, KI-Beschleuniger.
Frage 6: Kann das System Blind- und Durchgangsvias verarbeiten?
A: Ja, Multi-Form-Fähigkeit: runde, quadratische, blinde, durchgehende und Mikrograben-Vias.
Erschließen Sie das Potenzial von Glassubstratverpackungen
Präzisions-TGV-Laserbohrsystem, entwickelt für IC-Substrate der nächsten Generation, Interposer und heterogene 3D-Integration.
≥5000 Vias/s 5 µm / 1:100 AR Wiederholgenauigkeit ±1µm
Kontaktieren Sie unser Ingenieurteam für Prozessdemonstrationen und Unterstützung bei der Integration.



