WS3100 vs. WS3060: Cómo elegir la máquina de soldadura ultrasónica de alambre adecuada para el encapsulado de semiconductores de potencia.
1. Aplicaciones principales: De MOSFET a módulos IGBT

Ambas máquinas están diseñadas para la unión de cables de aluminio, un paso fundamental en la conexión de chips semiconductores a pines externos. Sin embargo, sus aplicaciones previstas difieren en función de los requisitos de potencia:
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Componentes discretos: Ideal para transistores de potencia media a alta, MOSFET y SCR (rectificadores controlados de silicio).
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Diodos: Optimizado para diodos de recuperación rápida de alta corriente y diodos Schottky.
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Módulos de potencia: El WS3100 destaca especialmente en entornos de alta demanda. IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) embalaje de módulos.
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Cajas estándar: Admite sin problemas los formatos de encapsulado TO-3, TO-220, TO-126 y TO-251.
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2. Superioridad técnica: Precisión y potencia se unen.
La serie "WS" se distingue por varias tecnologías patentadas diseñadas para minimizar errores y maximizar el rendimiento.
Transmisión de precisión y estabilidad
Ambas unidades utilizan control por computadora. motores paso a paso Para el movimiento en los ejes Y y Z. Combinado con guías y varillas de tornillo de precisión, el cabezal de unión logra un posicionamiento de alta velocidad sin sacrificar la precisión.
Tecnología avanzada de transductores
El WS3100 cuenta con un transductor de nuevo diseño con importantes reservas de potencia. Incluye una función única. detección de instalación de cuña Esta característica evita fallos de unión causados por una alineación incorrecta de la herramienta, un cuello de botella común en las configuraciones manuales y semiautomáticas.
Control de presión electromagnética
La consistencia es el sello distintivo de la calidad. Estas máquinas emplean un sistema de control de presión automático electromagnético, lo que garantiza que cada punto de unión reciba la misma fuerza, reduciendo el riesgo de problemas de "sobreadhesión" o "falta de adherencia".
3. Comparación directa: WS3100 vs. WS3060
| Característica | WS3100 (Alta potencia/Cable grueso) | WS3060 (Económico/Cable fino) |
| Posición en el mercado | Líder industrial / I+D | Rentable / Alto retorno de la inversión |
| Diámetro del alambre | 75~500 μm (3-20 mil) | 25~75 μm (1-3 mil) |
| Potencia ultrasónica | 0~60W (Doble canal) | 0~5W (Doble canal) |
| Presión de unión | 30~1200 g | 30~100 g |
| Longitud máxima de la unión | 18 mm (personalizable a 25 mm) | 9 mm |
| Peso | ~40 kg | ~28 kg |
4. Características operativas para la producción de alto volumen
Para facilitar su uso a gran escala, estos dispositivos incluyen funciones que mejoran la calidad de vida de los técnicos:
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Función de doble enlace: Permite dos puntos de conexión en un solo cable, lo que reduce significativamente la resistencia de contacto, algo esencial para dispositivos de alta potencia.
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Memoria de datos: Las máquinas pueden almacenar parámetros como la longitud del cable, su resistencia y la altura del punto de mira. Esto reduce el tiempo de configuración al cambiar entre lotes de transistores y diodos.
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Interfaz intuitiva: Parámetros como la potencia ultrasónica, el tiempo, la presión y la longitud de la cola se pueden ajustar mediante perillas e interruptores físicos, lo que permite un ajuste preciso en tiempo real.
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Sistema de visión: Equipado con microscopios de doble aumento ajustables (7,5x y 15x) e iluminación LED variable para una inspección nítida de las microuniones.
5. Conclusión: ¿Qué modelo necesita?
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Elija el WS3100 si estás trabajando con alambre de aluminio grueso (hasta 500 μm), módulos de potencia a gran escala, o requieren los más altos niveles de precisión y presión para los IGBT de grado industrial.
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Elija el WS3060 para aplicaciones de alambre fino donde la rentabilidad es una prioridad. Es la máquina perfecta, ya sea de nivel básico o secundaria, para líneas de producción estándar de componentes discretos.
Nota técnica: Ambos modelos funcionan con 220 VCA (±10 %) a 50 Hz y requieren una conexión a tierra fiable para proteger los circuitos semiconductores sensibles de las descargas electrostáticas (ESD).



