Sistema de corte láser de obleas de silicio | Corte sigiloso para SiC y zafiro
Resumen de producción
- Materiales:Si, SiC, zafiro, obleas para aplicaciones fotovoltaicas/solares
- Tamaños de obleas:4", 6", 8" (Estándar), 12" (Opcional)
- Velocidad máxima de procesamiento:Arriba a1000 mm/s
- Tipo de láser: Infrared (IR),10–200 kHzfrecuencia de repetición
- Proceso:Modificación interna → expansión/separación de la película → escisión (separación de la matriz)
- Beneficios:Poco astillado, poca suciedad, potencial para calles estrechas, proceso en seco (sin paso de limpieza)
Ámbito de aplicación (Pan-Semiconductor)
Este dados sigilosos El sistema está diseñado para materiales difíciles de cortar y aplicaciones donde el límite elástico es crucial:
- Obleas de silicio (Si):dispositivos semiconductores lógicos, de memoria y en general
- Carburo de silicio (SiC):dispositivos de potencia (por ejemplo, MOSFET) donde la reducción de pérdidas por corte es fundamental
- Obleas de zafiro para LED:Alta calidad de borde para respaldar el rendimiento de extracción de luz.
- Materiales solares/fotovoltaicos:Procesamiento de alta velocidad para un rendimiento rentable.
Corrección de contorno de gran angularSe incluye para ayudar al proceso.obleas parciales o dañadasDe forma automática, reduciendo los desperdicios innecesarios y la intervención manual.
Cómo funciona el corte sigiloso (corte con modificación interna)
A diferencia del aserrado con cuchilla, el picado sigiloso es unseco, sin contactométodo. Se crea el “corte”.adentrola oblea, no la superficie.
Proceso de 3 pasos
- Enfoque interno:El láser infrarrojo atraviesa la superficie de la oblea y se enfoca a una profundidad controlada dentro del sustrato.
- Formación de la capa de modificación:La energía láser crea una “capa láser” interna controlada (microfisura/región modificada) a lo largo de las líneas de corte.
- Expansión y corte de cinta:Una fuerza externa (normalmente la expansión de la película o cinta adhesiva) separa la oblea limpiamente a lo largo de las líneas de tensión internas.
Resultado:Separación limpia con menor astillamiento y reducción de residuos en comparación con el corte mecánico.
Diagrama de flujo típico del proceso:
- Procesamiento láser para formar la capa de corte interna
- Expansión/separación de la película
- Corte (separación de matriz)
Características principales Diseñado para la producción
Corrección de contorno de gran angular (compatible con obleas rotas o parciales)
La corrección automática del contorno permite un procesamiento estable incluso cuando las obleas están incompletas o dañadas, lo que mejora la utilización y reduce el retrabajo manual.
Escaneo de códigos de barras para la gestión de recetas
La carga de parámetros mediante códigos de barras permite un control de producción uniforme y un cambio rápido de recetas para la fabricación de productos con gran variedad de materiales.
Plataforma de movimiento de alta precisión (procesamiento estable y repetible)
La plataforma está diseñada para un movimiento de alta velocidad con gran precisión, lo que permite una formación uniforme de las capas internas durante el proceso de producción.
Enfoque automático + enfoque automático dinámico (profundidad de modificación constante)
La estabilidad del enfoque es esencial en el corte sigiloso. El sistema utiliza autoenfoque y autoenfoque dinámico para ayudar a mantener una profundidad de procesamiento interna estable en obleas con variación en la altura de la superficie (la estabilidad de la profundidad de la capa SD está respaldada por el diseño de enfoque automático).
Configuración de visión multi-CCD
Existen múltiples opciones de CCD que admiten la alineación y el manejo automatizados, entre las que se incluyen:
- corrección angular
- corrección de nivel
- calibración del punto de referencia
- Ajuste automático del brillo del CCD
- reconocimiento/manejo de piezas de oblea residuales
Mayor utilización de la oblea en comparación con el corte con cuchilla.
En comparación con el corte con cuchilla (rueda), el corte de calles se puede reducir mediantemás del 50%, mejorando la cantidad de chips por oblea, lo cual es especialmente valioso en sustratos de alto costo como el SiC y el zafiro.
Proceso en seco (no requiere limpieza)
Dado que el procesamiento es sin contacto y en seco, puede reducir los requisitos de limpieza relacionados con los residuos y simplificar el flujo de la etapa final.
Preparado para la automatización (estándar de 4/6/8 pulgadas, opcional de 12 pulgadas)
La carga y descarga automáticas facilitan un funcionamiento eficiente y permiten que un solo operario supervise varias herramientas (dependiendo del flujo de trabajo de la fábrica).
Módulos clave que impulsan el rendimiento
Sistema óptico infrarrojo personalizado + fuente láser
- Fuente láser infrarroja dedicada y trayectoria óptica adaptada.
- Frecuencia de repetición: 10–200 kHz
- El diseño óptico permite un suministro de energía estable para una modificación interna y una velocidad de producción constantes.
Plataforma de movimiento de alta velocidad y alta precisión + control de movimiento
- Movimiento X/Y de alta velocidad para un mayor rendimiento.
- Mecánica y control de precisión diseñados para una calidad de línea y repetibilidad uniformes.
Sistema de enfoque automático
Un sensor de distancia de precisión mide la altura de la superficie de la oblea en tiempo real. El mecanismo de enfoque automático ajusta la posición focal en consecuencia para estabilizar la profundidad de la modificación interna a pesar de las variaciones de la superficie.
Soporte y logística global
Comprendemos que la fabricación de semiconductores es una operación global que funciona las 24 horas del día, los 7 días de la semana. Este equipo está contribuyendo actualmente a mejorar el rendimiento en los principales centros de producción de semiconductores del mundo.
- Asia-Pacífico:Soporte completo para fábricas de alto volumen enChina, Taiwán, Japón y Corea del Sur.
- Sudeste asiático:Logística establecida para líneas de ensamblaje de back-end enMalasia, Singapur, Vietnam y Tailandia.
- Mercados occidentales:Prestando servicios a instalaciones de I+D y producción en todo el mundo.Europa (Alemania, Reino Unido, Francia)yAmérica (EE. UU., México, Brasil).
Especificaciones técnicas (consistentes)
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Compatibilidad de obleas | 4", 6", 8" (Estándar), 12" (Opcional) |
| Velocidad máxima de procesamiento | Arriba a1000 mm/s |
| Tipo láser | Infrared (IR) |
| Frecuencia de repetición | 10–200 kHz |
| Precisión de posicionamiento (repetibilidad) | ±1 µm |
| Rectitud del eje X | ±1 µm / 300 mm |
| Rango de movimiento (X/Y) | 430 mm × 550 mm |
| Repetibilidad del eje Z | ±1 µm |
| Rotación Theta (θ) | 210°rango,15 segundos de arcoresolución |
| Planitud del escenario | ≤ ±5 µm(dentro de un rango de 200 mm) |
| Requisitos de las instalaciones | Sala limpia de clase 1000, 220 V monofásica, CDA 0,5–0,8 MPa |
Requisitos de las instalaciones (condiciones de instalación)
- Temperatura:22°C ± 2°C
- Humedad:30–60%
- Limpieza:Sala limpia de clase 1000 o superior
- CDA (presión de aire):0,5–0,8 MPa
- Fuerza:Monofásico 220V, 50Hz, ≥20A
- Fluctuación de potencia:
- Tamaño del equipo:1500 (ancho) × 2100 (largo) × 2180 (alto) mm
- Peso neto:3,2 toneladas
- Evite la instalación cerca de: fuentes de alta vibración/impacto, fuertes interferencias de alta frecuencia, zonas de cambios rápidos de temperatura.
¿Por qué elegir esta máquina de corte láser de silicio?
Este equipo de corte sigiloso está diseñado para fabricantes que buscan superar las limitaciones del aserrado mecánico, especialmente para:
- Producción de dispositivos de potencia de SiC:Reducir la pérdida de material en sustratos costosos al tiempo que se mejora la calidad de los bordes.
- Líneas LED/zafiro:Respaldan bordes suaves para una mayor consistencia en el rendimiento óptico.
- Producción de alta mezcla:Flujo de trabajo de recetas basado en códigos de barras + funciones de alineación de visión
- Fábricas que buscan un rendimiento estable:Plataforma de movimiento de alta velocidad y enfoque dinámico para una producción repetible.
Preguntas frecuentes (Preguntas comunes sobre producción)
1) ¿Cuál es la diferencia entre el corte sigiloso y el corte con cuchilla?
El proceso de corte sigiloso crea una capa de modificación interna mediante un láser infrarrojo y la separa aplicando una fuerza controlada, en lugar de cortar mecánicamente la superficie con una cuchilla.
2) ¿Es un proceso húmedo? ¿Requiere limpieza?
Se especifica como unsecoEl proceso está diseñado para reducir los residuos y los pasos de limpieza en comparación con el aserrado con cuchilla.
3) ¿Qué tamaños de obleas admite el sistema?
4", 6", 8" estándar, con12" opcional.
4) ¿Cómo mantiene el sistema una profundidad de capa interna constante?
Utilizaenfoque automático + enfoque automático dinámicocon unenfoque de seguimiento automáticoMecanismo basado en la medición de la altura de la superficie en tiempo real.
5) ¿Puede la herramienta procesar obleas parciales o dañadas?
Sí.Corrección de contorno de gran angularPermite el procesamiento automático de obleas parciales o rotas para reducir los desechos.
Contáctanos (Demostración de muestra / Presupuesto)
Envíenos el material de su oblea (Si / SiC / zafiro), su tamaño, grosor y los requisitos de ancho de línea deseados. Podemos recomendarle un rango de procesamiento y organizar una evaluación de muestra o una demostración del proceso.