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Sistema de perforación láser de microvías TGV a nivel de oblea para el encapsulado avanzado de sustratos de vidrio.
Vías ultrafinas
≤5 µm de diámetro, relación de aspecto de hasta 1:100 para interconexiones de alta densidad.
Alto rendimiento
≥5000 puntos/s para producción en masa y fabricación de alto volumen.
Multimaterial
Cuarzo, borosilicato, vidrio sódico-cálcico, vidrio aluminosilicato.
Capacidad para múltiples formas
Vías redondas, cuadradas, ciegas, pasantes, de microzanja.
Precisión
Repetibilidad ≤±1 µm; precisión del patrón ≤±3 µm.
Manipulación automatizada
Admite obleas de 4 a 12 pulgadas, con carga tipo cesta.
Tecnologías básicas
Física de la modificación láser
Microestructuración controlada mediante láser para la obtención de vías limpias.
Microestructuración controlada mediante láser para la obtención de vías limpias.
Control de movimiento de alta precisión
Repetibilidad de la etapa XY ≤1 µm.
Repetibilidad de la etapa XY ≤1 µm.
Optimización del estrés térmico
Minimiza el agrietamiento del sustrato y las tensiones residuales.
Minimiza el agrietamiento del sustrato y las tensiones residuales.
Manipulación automatizada de obleas
Carga/descarga tipo cesta de 4 a 12 pulgadas, compatible con FOUP.
Carga/descarga tipo cesta de 4 a 12 pulgadas, compatible con FOUP.
Comparación de tecnologías
| Tecnología | Según el tamaño | Relación de aspecto | Compatibilidad de materiales | Notas |
|---|---|---|---|---|
| TGV láser | ≤5 µm | Hasta 1:100 | Cuarzo, borosilicato, cal sodada, aluminosilicato | Ideal para embalaje de alta densidad |
| Perforación mecánica | >30 µm | Limitado | Lento, riesgo de astillamiento | |
| Grabado químico | 10–50 µm | 1:5–1:20 | Solo vidrio | Control de forma deficiente, isotrópico |
| Perforación ultrasónica | >20 µm | Limitado | No apto para circuitos integrados de paso fino. |
Especificaciones técnicas
Tamaño del sustratoObleas de vidrio redondas o cuadradas de 4 a 12 pulgadas.
Método de cargaCesta automática / cassette
Método de procesamientoLáser fijo + plataforma de movimiento XY de alta precisión
Velocidad de la plataforma≤1000 mm/s
Diámetro mínimo de la vía5 µm
Relación de aspecto máxima1:100
Repetibilidad de la plataforma≤±1 µm
Precisión de posicionamiento
Precisión del patrón≤±3 µm a un campo de 300 mm
Rendimiento≥5000 puntos/s
Aplicaciones
Encapsulado de circuitos integrados a base de vidrio Circuitos integrados controladores de pantalla Interponedores de alta densidad Módulos MEMS y de sensores Embalaje óptico y de radiofrecuencia Aceleradores de HPC e IA (interconectores de vidrio)
Guía de selección
Elija este sistema si su producción requiere:
- Vías ultrafinas ≤5 µm
- Alta relación de aspecto (1:100)
- Perforación de múltiples formas (ciega, pasante, de zanja)
- Alto volumen de procesamiento (≥5000 puntos/s)
- Compatibilidad con sustratos de vidrio múltiple
- Precisión de alineación estricta (
Tendencias futuras
Adopción rápida
Conectores de vidrio para aceleradores de computación de alto rendimiento e inteligencia artificial.
demanda de vías sub-5 µm
Mayor necesidad de una mayor densidad de interconexión.
Unión híbrida y recubrimiento de cobre
Integración perfecta con los flujos de trabajo de llenado de metales.
Empaquetado a nivel de panel (PLP)
Adaptación a sustratos de vidrio de gran formato.
Preguntas frecuentes
P1: ¿Cuál es el tamaño mínimo de vía que se puede lograr?
A: 5 µm, lo que permite interconexiones de alta densidad para encapsulados de vidrio avanzados.
P2: ¿Qué materiales de vidrio son compatibles?
A: Cuarzo, borosilicato, vidrio sódico-cálcico, vidrio aluminosilicato y más.
P3: ¿Qué relaciones de aspecto se pueden lograr?
R: Hasta 1:100 para vías profundas y estrechas sin agrietamiento.
P4: ¿Cuál es la velocidad de perforación?
A: ≥5000 puntos/s, adecuado para la producción en masa y fábricas de alto volumen.
P5: ¿Qué aplicaciones se benefician más?
A: Empaquetado de circuitos integrados de vidrio, controladores de pantalla, MEMS, interconectores de alta densidad, aceleradores de IA.
P6: ¿El sistema admite vías ciegas y pasantes?
R: Sí, capacidad para múltiples formas: vías redondas, cuadradas, ciegas, pasantes y de microzanja.
Desbloquea el potencial del embalaje de sustratos de vidrio
Sistema de perforación láser TGV de precisión diseñado para sustratos de circuitos integrados de próxima generación, interconectores e integración heterogénea 3D.
≥5000 vías/s 5 µm / 1:100 AR Repetibilidad de ±1 µm
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