Machine de découpe furtive laser pour plaquettes de silicium, SiC et saphir
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Système de découpe laser de plaquettes de silicium | Découpe furtive pour SiC et saphir

Le découpage des plaquettes est une étape critique en fin de chaîne de production qui limite souvent le rendement en raison deécaillage des bords,contamination par les débris,nettoyage supplémentaire, etzone de plaquettes gaspilléesdes rues à larges coupes. Cecilaser dés furtifs machine(également utilisé comme unmachine à découper le silicone) résout ces problèmes en créant uncouche de modification interneà l'intérieur de la plaquette en utilisant un faisceau focalisélaser infrarouge (IR), puis en séparant les matrices par une force externe contrôlée.

Conçu pour les environnements de production, le système prend en chargeSilicium (Si),Carbure de silicium (SiC),saphir LEDet des substrats liés à l'énergie solaire, avec un traitement stable rendu possible paroptiques IR dédiées, unplateforme de mouvement de haute précision, etautofocus + autofocus dynamique.

    Aperçu (Résumé de la production)

    • Matériels:Plaquettes de silicium, de carbure de silicium, de saphir et de matériaux photovoltaïques/solaires
    • Tailles des plaquettes :4", 6", 8" (standard), 12" (en option)
    • Vitesse de traitement maximale :Jusqu'à1000 mm/s
    • Type de laser : Infrarouge (IR),10–200 kHzfréquence de répétition
    • Processus:Modification interne → expansion/séparation du film → clivage (séparation de la matrice)
    • Avantages:Faible écaillage, faible quantité de débris, potentiel pour les rues étroites, procédé à sec (pas d'étape de nettoyage)

    Champ d'application (Pan-Semiconductor)

    Ce dés furtifs Ce système est conçu pour les matériaux difficiles à usiner et les applications sensibles au rendement :

    • Plaquettes de silicium (Si) :dispositifs semi-conducteurs logiques, de mémoire et généraux
    • Carbure de silicium (SiC) :dispositifs de puissance (par exemple, MOSFET) pour lesquels la réduction des pertes par frottement est essentielle
    • plaquettes de saphir pour LED :Qualité de bord élevée pour une performance d'extraction de lumière optimale
    • Matériaux solaires/photovoltaïques :traitement à haute vitesse pour un débit rentable

    Exemples de découpe laser de plaquettes de silicium et de SiC montrant des bords nets sans ébréchure.

    Correction de contour grand angleest inclus pour faciliter le processusplaquettes partielles ou endommagéesautomatiquement, réduisant ainsi les déchets inutiles et les interventions manuelles.


    Comment fonctionne le dés furtif (dés à modification interne)

    Contrairement au sciage à lame, le découpage furtif est unesec, sans contactméthode. La « coupe » est crééeà l'intérieurla plaquette, pas en surface.

    Schéma du procédé de découpe laser de plaquettes de silicium où des impulsions ultracourtes se focalisent à l'intérieur pour former une couche de microfissures

    Processus en 3 étapes

    1. Concentration interne :Le laser infrarouge traverse la surface de la plaquette et se focalise à une profondeur contrôlée à l'intérieur du substrat.
    2. Formation de la couche de modification :L'énergie laser crée une « couche laser » interne contrôlée (microfissure / zone modifiée) le long des lignes de découpe.
    3. Expansion et clivage du ruban :Une force extérieure (généralement l'expansion d'un film/ruban) sépare proprement la plaquette le long des lignes de contrainte internes.

    Résultat:Séparation nette avec réduction des éclats et des débris par rapport à la découpe mécanique.

    Flux de processus typique :

    Diagramme de flux du processus d'un équipement de découpe laser furtif illustrant les étapes de modification interne

    • Traitement laser pour former la couche de découpe interne
    • Dilatation/séparation du film
    • Clivage (séparation des matrices)

    Illustration du flux de travail étape par étape : balayage de la plaquette, dépôt de couches laser internes, clivage et séparation par expansion du ruban.


    Caractéristiques clés Conçu pour la production

    Composants internes de la machine de découpe laser, notamment un système optique dédié et une platine de déplacement de haute précision

    Correction de contour grand angle (prend en charge les plaquettes cassées/partielles)

    La correction automatique des contours permet un traitement stable même lorsque les plaquettes sont incomplètes ou endommagées, améliorant ainsi leur utilisation et réduisant les retouches manuelles.

    Lecture de codes-barres pour la gestion des recettes

    Le chargement des paramètres par code-barres assure un contrôle de production constant et un changement rapide de recettes pour une production à forte mixité.

    Plateforme de mouvement de haute précision (traitement stable et répétable)

    La plateforme est conçue pour des mouvements à grande vitesse et de haute précision afin de garantir une formation homogène des couches internes à un débit de production optimal.

    Mise au point automatique + mise au point automatique dynamique (profondeur de modification constante)

    La stabilité de la mise au point est essentielle pour le découpage furtif. Le système utilise l'autofocus et l'autofocus dynamique pour maintenir une profondeur de traitement interne stable sur des plaquettes présentant des variations de hauteur de surface (la stabilité de la profondeur de la couche SD est assurée par la conception de la mise au point automatique).

    Schéma du système de mise au point automatique avec capteur de distance pour le suivi de la hauteur de la surface de la plaquette et la précision de la profondeur de découpe laser

    Configuration de vision multi-CCD

    Plusieurs options de capteurs CCD prennent en charge l'alignement et la manipulation automatisés, notamment :

    • correction d'angle
    • correction de niveau
    • étalonnage du point de référence
    • Réglage automatique de la luminosité du capteur CCD
    • identification et traitement des fragments de plaquettes résiduelles

    Utilisation accrue des plaquettes par rapport au découpage à la lame

    Comparativement à la coupe à la lame (à la roue), le déneigement des rues peut être réduit parplus de 50%, améliorant le nombre de puces par tranche, ce qui est particulièrement précieux sur les substrats coûteux comme le SiC et le saphir.

    Démonstration d'un taux d'utilisation élevé des plaquettes grâce à la technologie de découpe laser des plaquettes de silicium, comparée à la découpe à la lame.

    Procédé à sec (aucun nettoyage requis)

    Le traitement étant sans contact et à sec, il permet de réduire les besoins de nettoyage liés aux débris et de simplifier le flux de traitement en aval.

    Compatible avec l'automatisation (4/6/8 pouces en standard, 12 pouces en option)

    Le chargement/déchargement automatique favorise un fonctionnement efficace et permet à un seul opérateur de surveiller plusieurs outils (en fonction du flux de travail de l'usine).


    Modules clés qui déterminent les performances

    Système optique infrarouge personnalisé + source laser

    • Source laser IR dédiée et chemin optique adapté
    • Fréquence de répétition : 10–200 kHz
    • La conception optique assure une alimentation énergétique stable pour une vitesse de modification interne et de production constante.

    Plateforme de mouvement haute vitesse et haute précision + contrôle de mouvement

    • Déplacement X/Y à grande vitesse pour un débit optimal
    • Mécanismes et commandes de précision conçus pour une qualité de ligne et une répétabilité constantes.

    Système de mise au point automatique

    Un capteur de distance de précision mesure en temps réel la hauteur de la surface de la plaquette. Le mécanisme de mise au point automatique ajuste la position focale en conséquence afin de stabiliser la profondeur de modification interne malgré les variations de surface.


    Support et logistique mondiaux

    Nous savons que la fabrication de semi-conducteurs est une activité mondiale qui fonctionne 24 heures sur 24 et 7 jours sur 7. Cet équipement contribue actuellement à améliorer les rendements dans les principaux centres de production de semi-conducteurs au monde.

    • Asie-Pacifique :Soutien complet aux usines de fabrication à haut volume dansChine, Taïwan, Japon et Corée du Sud.
    • Asie du Sud-Est :Logistique mise en place pour les chaînes d'assemblage en avalMalaisie, Singapour, Vietnam et Thaïlande.
    • Marchés occidentaux :Au service des installations de R&D et de production à traversEurope (Allemagne, Royaume-Uni, France)etLes Amériques (États-Unis, Mexique, Brésil).


    Spécifications techniques (cohérentes)

    Paramètre Spécification
    Compatibilité des plaquettes 4", 6", 8" (standard), 12" (en option)
    Vitesse de traitement maximale Jusqu'à1000 mm/s
    Type laser Infrarouge (IR)
    Fréquence de répétition 10–200 kHz
    Précision du positionnement (répétabilité) ±1 µm
    Rectitude de l'axe X ±1 µm / 300 mm
    Plage de mouvement (X/Y) 430 mm × 550 mm
    Répétabilité de l'axe Z ±1 µm
    Rotation thêta (θ) 210°gamme,15 secondes d'arcrésolution
    Planéité de la scène ≤ ±5 µm(dans un rayon de 200 mm)
    Exigences relatives aux installations 220 V monophasé, CDA 0,5–0,8 MPa, salle blanche classe 1000

    Exigences relatives aux installations (conditions d'installation)

    • Température:22°C ± 2°C
    • Humidité:30 à 60 %
    • Propreté:Salle blanche de classe 1000 ou mieux
    • CDA (pression d'air) :0,5–0,8 MPa
    • Pouvoir:Monophasé 220 V, 50 Hz, ≥ 20 A
    • Fluctuations de puissance :
    • Taille de l'équipement :1500 (L) × 2100 (l) × 2180 (H) mm
    • Poids net :3,2 tonnes
    • Évitez l'installation à proximité de : sources de fortes vibrations/impacts, fortes interférences haute fréquence, zones de variations rapides de température

    Pourquoi choisir cette machine de découpe laser en silicium ?

    Cet équipement de découpe furtif est conçu pour les fabricants qui s'affranchissent des limites du sciage mécanique, notamment pour :

    • Production de dispositifs de puissance en SiC :réduire les pertes de matière sur les supports coûteux tout en améliorant la qualité des bords
    • Lignes LED/saphir :Des bords lisses pour une meilleure homogénéité des performances optiques
    • Production à forte mixité :Flux de travail de recettes piloté par code-barres + fonctionnalités d'alignement visuel
    • Usines visant un débit stable :Plateforme de mouvement à grande vitesse et mise au point dynamique pour une production répétable

    FAQ (Questions fréquentes sur la production)

    1) Quelle est la différence entre le découpage furtif et le découpage à la lame ?
    Le découpage furtif forme une couche de modification interne à l'aide d'un laser infrarouge et la sépare par une force contrôlée, au lieu de découper mécaniquement la surface avec une lame.

    2) S'agit-il d'un procédé humide ? Nécessite-t-il un nettoyage ?
    Il est spécifié comme unsecCe procédé est conçu pour réduire les débris et les étapes de nettoyage par rapport au sciage à lame.

    3) Quelles sont les tailles de plaquettes prises en charge par le système ?
    4", 6", 8" standard, avec12" en option.

    4) Comment le système maintient-il une profondeur de couche interne constante ?
    Il utiliseautofocus + autofocus dynamiqueavec unmise au point automatiquemécanisme basé sur la mesure en temps réel de la hauteur de la surface.

    5) L'outil peut-il traiter des plaquettes partielles ou endommagées ?
    Oui.Correction de contour grand anglePermet le traitement automatique des plaquettes partielles/cassées afin de réduire les déchets.


    Contactez-nous (Exemple de démonstration / Devis)

    Veuillez nous indiquer le matériau de votre plaquette (Si/SiC/saphir), ses dimensions, son épaisseur et la largeur de bande cible. Nous pourrons vous recommander une période de traitement optimale et organiser une évaluation d'échantillon ou une démonstration.