0102030405
Sistem Penggerudian Mikro-Via Laser TGV Aras Wafer untuk Pembungkusan Substrat Kaca Termaju
Vias Ultra-Halus
Diameter ≤5 µm, nisbah aspek sehingga 1:100 untuk sambungan saling berkapasiti tinggi.
Daya pemprosesan tinggi
≥5000 mata/s untuk pengeluaran besar-besaran & pembuatan volum tinggi.
Pelbagai Bahan
Kuarza, borosilikat, soda-kapur, kaca aluminosilikat.
Keupayaan Pelbagai Bentuk
Bulat, segi empat sama, buta, telus, via mikro-parit.
Ketepatan
Kebolehulangan ≤±1 µm; ketepatan corak ≤±3 µm.
Pengendalian Automatik
Menyokong wafer 4–12 inci, pemuatan jenis bakul.
Teknologi Teras
Fizik Pengubahsuaian Laser
Penstrukturan mikro teraruh laser terkawal untuk vias bersih.
Penstrukturan mikro teraruh laser terkawal untuk vias bersih.
Kawalan Gerakan Ketepatan Tinggi
Kebolehulangan peringkat XY ≤1 µm.
Kebolehulangan peringkat XY ≤1 µm.
Pengoptimuman Tekanan Terma
Meminimumkan keretakan substrat & tegasan baki.
Meminimumkan keretakan substrat & tegasan baki.
Pengendalian Wafer Automatik
4–12 inci, muat/buang jenis bakul, serasi dengan FOUP.
4–12 inci, muat/buang jenis bakul, serasi dengan FOUP.
Perbandingan Teknologi
| Teknologi | Melalui Saiz | Nisbah Aspek | Keserasian Bahan | Nota |
|---|---|---|---|---|
| Laser TGV | ≤5 µm | Sehingga 1:100 | Kuarza, Borosilikat, Soda-kapur, Aluminosilikat | Sesuai untuk pembungkusan berketumpatan tinggi |
| Penggerudian Mekanikal | >30 µm | Terhad | Perlahan, risiko keretakan | |
| Pengukiran Kimia | 10–50 µm | 1:5–1:20 | Kaca sahaja | Kawalan bentuk yang lemah, isotropik |
| Penggerudian Ultrasonik | >20 µm | Terhad | Tidak sesuai untuk IC pic halus |
Spesifikasi Teknikal
Saiz SubstratWafer kaca bulat atau segi empat sama 4–12 inci
Kaedah PemuatanJenis bakul/kaset automatik
Kaedah PemprosesanLaser tetap + platform gerakan XY berketepatan tinggi
Kelajuan Platform≤1000 mm/s
Diameter Minimum Melalui5 µm
Nisbah Aspek Maks1:100
Kebolehulangan Platform≤±1 µm
Ketepatan Kedudukan
Ketepatan Corak≤±3 µm @ medan 300 mm
Daya pemprosesan≥5000 mata/s
Aplikasi
Pembungkusan IC berasaskan kaca Paparan IC pemacu Interposer berketumpatan tinggi MEMS dan modul sensor Pembungkusan optik dan RF Pemecut HPC & AI (interposer kaca)
Panduan Pemilihan
Pilih sistem ini jika pengeluaran anda memerlukan:
- Vias ultra halus ≤5 µm
- Nisbah aspek tinggi (1:100)
- Penggerudian pelbagai bentuk (buta, tembus, parit)
- Daya pemprosesan volum tinggi (≥5000 mata/s)
- Keserasian substrat berbilang kaca
- Ketepatan penjajaran yang ketat (
Trend Masa Depan
Penerimaan pantas
Interposer kaca untuk pemecut HPC & AI.
Permintaan vias sub-5 µm
Keperluan yang semakin meningkat untuk ketumpatan interkoneksi yang lebih tinggi.
Ikatan hibrid & penyaduran Cu
Integrasi lancar dengan aliran kerja pengisian logam.
Pembungkusan Peringkat Panel (PLP)
Penskalaan kepada substrat kaca format besar.
Soalan Lazim
S1: Apakah saiz terkecil yang boleh dicapai?
A: 5 µm, membolehkan sambungan berketumpatan tinggi untuk pembungkusan kaca termaju.
S2: Bahan kaca yang manakah serasi?
A: Kuarza, borosilikat, soda-kapur, kaca aluminosilikat dan banyak lagi.
S3: Apakah nisbah aspek yang boleh dicapai?
A: Sehingga 1:100 untuk via yang dalam dan sempit tanpa retak.
S4: Berapa pantaskah daya pemprosesan penggerudian?
A: ≥5000 mata/s, sesuai untuk pengeluaran besar-besaran dan fabrik volum tinggi.
S5: Aplikasi manakah yang paling mendapat manfaat?
A: Pembungkusan IC kaca, pemacu paparan, MEMS, interposer berketumpatan tinggi, pemecut AI.
S6: Adakah sistem ini mengendalikan via buta & melalui?
A: Ya, keupayaan berbilang bentuk: bulat, segi empat sama, buta, telus dan via mikro-parit.
Buka Potensi Pembungkusan Substrat Kaca
Sistem penggerudian laser TGV jitu yang direkayasa untuk substrat IC generasi seterusnya, interposer dan integrasi heterogen 3D.
≥5000 vias/s 5µm / 1:100 AR Kebolehulangan ±1µm
Hubungi pasukan kejuruteraan kami untuk demonstrasi proses & sokongan integrasi.