WS3100 kontra WS3060: Wybór odpowiedniego urządzenia do łączenia przewodów ultradźwiękowych w celu pakowania półprzewodników mocy
1. Główne zastosowania: od tranzystorów MOSFET do modułów IGBT

Obie maszyny zostały zaprojektowane do łączenia przewodów aluminiowych, co stanowi kluczowy etap łączenia układów półprzewodnikowych z pinami zewnętrznymi. Jednak ich docelowe zastosowania różnią się w zależności od zapotrzebowania na energię:
-
Elementy dyskretne: Idealny do tranzystorów o średniej i dużej mocy, tranzystorów MOSFET i SCR (prostowników sterowanych krzemem).
-
Diody: Zoptymalizowany dla diod szybkiego odzyskiwania o dużym natężeniu prądu i diod Schottky'ego.
-
Moduły zasilania: WS3100 sprawdza się szczególnie w zastosowaniach o dużym zapotrzebowaniu IGBT (tranzystor bipolarny z izolowaną bramką) opakowanie modułu.
-
Obudowy standardowe: Bezproblemowo obsługuje obudowy TO-3, TO-220, TO-126 i TO-251.
![]()
2. Przewaga techniczna: precyzja spotyka się z mocą
Seria „WS” wyróżnia się kilkoma zastrzeżonymi technologiami, zaprojektowanymi w celu minimalizacji błędów i maksymalizacji przepustowości.
Precyzyjny napęd i stabilność
Obie jednostki wykorzystują sterowanie komputerowe silniki krokowe do ruchu w osiach Y i Z. W połączeniu z precyzyjnymi prętami śrubowymi i prowadnicami głowica łącząca umożliwia szybkie pozycjonowanie bez utraty dokładności.
Zaawansowana technologia przetworników
WS3100 jest wyposażony w nowo zaprojektowany przetwornik o znacznych rezerwach mocy. Zawiera unikalny wykrywanie instalacji klina funkcja zapobiegająca błędom łączenia spowodowanym nieprawidłowym ustawieniem narzędzi — częstym wąskim gardłem w konfiguracjach ręcznych i półautomatycznych.
Kontrola ciśnienia elektromagnetycznego
Spójność jest znakiem rozpoznawczym jakości. Maszyny te wykorzystują elektromagnetyczny system automatycznej kontroli nacisku, który zapewnia, że każdy punkt łączenia otrzymuje dokładnie taką samą siłę, zmniejszając ryzyko nadmiernego sklejenia lub problemów z nieprzywieraniem.
3. Porównanie bezpośrednie: WS3100 kontra WS3060
| Funkcja | WS3100 (duża moc/gruby przewód) | WS3060 (Ekonomiczny/Cienki drut) |
| Pozycja rynkowa | Lider przemysłu / badania i rozwój | Opłacalne / Wysoki zwrot z inwestycji |
| Średnica drutu | 75~500μm (3-20 mil) | 25~75μm (1-3 mil) |
| Moc ultradźwiękowa | 0~60 W (podwójny kanał) | 0~5 W (podwójny kanał) |
| Ciśnienie wiązania | 30~1200g | 30~100g |
| Maksymalna rozpiętość wiązania | 18 mm (możliwość dostosowania do 25 mm) | 9 mm |
| Waga | ~40 kg | ~28 kg |
4. Funkcje operacyjne dla produkcji wielkoseryjnej
Aby zapewnić skalę, urządzenia te wyposażono w funkcje „jakości życia” dla techników:
-
Funkcja podwójnego wiązania: Umożliwia zastosowanie dwóch punktów połączeniowych na jednym przewodzie, co znacznie obniża rezystancję styku — co jest niezwykle istotne w przypadku urządzeń o dużym natężeniu prądu.
-
Pamięć danych: Maszyny mogą zapisywać parametry dotyczące rozpiętości drutu, jego wytrzymałości i wysokości punktu celowania. Skraca to czas konfiguracji podczas przełączania między partiami tranzystorów i diod.
-
Intuicyjny interfejs: Parametry takie jak moc ultradźwięków, czas, ciśnienie i długość ogona można regulować za pomocą pokręteł i przełączników, co pozwala na precyzyjne dostrajanie w czasie rzeczywistym.
-
System wizyjny: Wyposażone w regulowane mikroskopy o podwójnym powiększeniu (7,5x i 15x) i zmienne oświetlenie LED, umożliwiające krystalicznie czystą kontrolę mikropołączeń.
5. Wnioski: Jaki model potrzebujesz?
![]()
-
Wybierz WS3100 jeśli pracujesz z gruby drut aluminiowy (do 500μm), modułów mocy na dużą skalę lub wymagających najwyższego poziomu precyzji i ciśnienia w przypadku przemysłowych tranzystorów IGBT.
-
Wybierz WS3060 Do zastosowania cienkiego drutu gdzie priorytetem jest efektywność kosztowa. To idealna maszyna podstawowa lub pomocnicza dla standardowych linii produkcyjnych komponentów dyskretnych.
Uwaga techniczna: Oba modele działają przy napięciu 220 V AC (±10%) przy częstotliwości 50 Hz i wymagają niezawodnego uziemienia w celu ochrony wrażliwych obwodów półprzewodnikowych przed ESD (wyładowaniami elektrostatycznymi).



