System implantacji jonów próżniowych do produkcji półprzewodników

System implantacji jonów próżniowych to precyzyjny akcelerator przeznaczony do domieszkowania półprzewodników, modyfikacji powierzchni i wytwarzania cienkich warstw. Obsługuje on płytki o średnicy od 2" do 8" i oferuje szeroki zakres implantowalnych jonów (B, P, As, Al, S, H, Mg, Si) o energiach przyspieszania od 5 keV do 200 keV. Najważniejsze cechy to implantacja niskoenergetyczna płytkich złączy, przetwarzanie w wysokich temperaturach oraz zaawansowana inżynieria próżniowa.

Skontaktuj się z nami

Szczegóły produktu

Przegląd techniczny implantatora jonowego

Wysokoprecyzyjny system akceleracyjny do domieszkowania półprzewodników, modyfikacji powierzchni i wytwarzania cienkich warstw, łączący przyspieszanie wiązki jonów, analizę masową i inżynierię próżniową.

Implantacja jonowa.jpg -ion implantation system.jpg

Specyfikacje rdzenia

Parametr	Wartość/Zakres
Energia przyspieszenia	5keV–200keV (jony jednowartościowe)
Zgodność wafli	Wafle 2"–8" + nieregularne fragmenty
Jony implantowalne	B, P, As, Al, S, H, Mg, Si
Dokładność dawki	≤1,5%
Zakres dawki	1×10¹¹–1×10¹⁶ atomów/cm²
Kąty nachylenia	0°, 7°(temperatura pokojowa); 0° (wysoka temperatura)

Kluczowe podsystemy

2. Kluczowe podsystemy

A. System źródła jonów
Składniki:
● Generator jonów oparty na plazmie (np. źródło Freemana lub Bernasa)
● 5 parowników ze źródłem stałym (praca w temperaturze 700°C)
● System dostarczania gazu dla prekursorów domieszek (np. BF₃ dla boru)
Cel: Generowanie i ekstrakcja gatunków jonów o precyzyjnym stanie ładunku.

B. Optyka linii wiązki
1. Analizator masy
● Wykorzystuje odchylenie magnetyczne do selekcji jonów według stosunku masy do ładunku (np. oddziela ᴮ⁺ od ᴾ⁺).
3. Przyspieszenie/zwalnianie
● Dynamicznie dostosowuje energię wiązki (maks. 200 keV → dolna granica 5 keV).
4. Skanowanie wiązką
● Skanowanie elektrostatyczne lub magnetyczne w celu równomiernego pokrycia płytki.

C.Systemy próżniowe

Sekcja	Próg ciśnienia	Krytyczne komponenty
Źródło jonów	≤7×10⁻⁴ Pa	Pompy turbo, kriopanele
Transport wiązki	≤7×10⁻⁵ Pa	Soczewki kwadrupolowe, bramki wiązki
Stacja końcowa	≤7×10⁻⁵ Pa	Roboty do obsługi płytek półprzewodnikowych i załadunku

Zaawansowane możliwości

● Implantacja niskoenergetyczna: System zwalniania umożliwia tworzenie płytkich złączy (np. w celu ultrapłytkiego domieszkowania w FinFET).
● Obróbka w wysokiej temperaturze: implantacja w temperaturze 0°C w celu wyżarzania defektów (np. produkcja urządzeń SiC).
● Elastyczność w zakresie źródeł stałych: Waporyzatory obsługują materiały ogniotrwałe, takie jak Al (w przypadku domieszkowania typu p w półprzewodnikach III-V).

Przykładowe zastosowanie

Implantacja fosforu (ᴾ⁺) przy napięciu 50 keV z dawką 1×10¹⁵ atomów/cm² w celu utworzenia studni CMOS, osiągając

Zasada działania systemu implantacji jonów.jpg

Porównanie branżowych benchmarków

●Przepustowość:Konkurencyjny w stosunku do serii Axcelis GSD/GPH, ale zoptymalizowany pod kątem elastyczności w zakresie prac badawczo-rozwojowych.

●Zakres energii: Większe możliwości w zakresie niskiego zużycia energii w porównaniu z tradycyjnymi implantatorami (np. Varian E500).