Sistema Híbrido de Medição de Espessura de Filme HFT-1000 | Himalaya
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Sistema híbrido de medição de espessura de filme Himalaya HFT-1000

Para embalagens de semicondutores de potência e metrologia em nível de wafer

Combinação de Reflectância Espectral (SR) e Elipsometria Espectroscópica (SE) em uma plataforma automatizada, pronta para SECS/GEM.


Visão geral

OHFT‑1000é o primeiro sistema de medição de espessura de filme projetado especificamente para as demandas exclusivas de embalagens de dispositivos de potência. Ele medeos filmes anexos (DAF),compostos de mofo,sub-enchimento,camadas de passivação, etensão do wafer– de 0,5 nm a 500 µm – em uma única ferramenta.

Ao contrário dos sistemas de modo único que obrigam a escolher entre elipsometria de película fina ou refletometria de película espessa, o HFT-1000 alterna automaticamente entreReflectância Espectral (SR)eElipsometria Espectroscópica (SE)modos. O resultado: tempos de ciclo mais rápidos, menos estações de medição e controle de processo em circuito fechado via SECS/GEM.

“Nossos engenheiros de embalagens reduziram o tempo de medição da espessura do DAF de 8 segundos (ponta de contato) para 0,5 segundos – com maior repetibilidade.”
— Dr. Jian Li, Engenheiro Sênior de Processos, Himalaia

    Principais características

    Recurso Beneficiar
    Híbrido SR + SE em um único cabeçote Meça filmes espessos (500 nm–500 µm) e finos (0,5 nm–50 µm) sem trocar de ferramentas.
    Repetibilidade subnanométrica ≤0,013 nm (estático) em SiO₂ de 202 nm – confie nos limites do seu controle de processo
    Cálculo de tensão do wafer integrado Utiliza a fórmula Stoney com medição a laser integrada – sem necessidade de ferramenta secundária.
    SECS/GEM (SEMI E30, E37) Integração perfeita com o sistema de gestão da fábrica, AMHS e MES. Modos online/offline.
    Óptica de banda larga (250–1000 nm) Padrão; expansível para DUV (193 nm) ou SWIR (2500 nm) para materiais avançados.
    Estágio de movimento de alta precisão Repetibilidade de ±1 µm, velocidade de varredura de 100 mm/s – mapeamento completo de wafers de 12 polegadas em menos de 3 minutos

    Especificações técnicas

    Parâmetro Valor
    Faixa de espessura (modo SR) 500 nm – 500 µm
    Faixa de espessura (modo SE) 0,5 nm – 50 µm
    Faixa de comprimento de onda (padrão) 250 – 1000 nm
    Opções expansíveis 193 nm (DUV) ou 2500 nm (SWIR)
    Repetibilidade (1018 nm SiO₂ em Si) Estático: ≤0,026 nm; Dinâmico: ≤0,034 nm
    Repetibilidade (202 nm SiO₂ em Si) Estático: ≤0,013 nm
    tamanho do ponto de medição 10 µm – 200 µm (selecionável pelo usuário)
    Viagem de palco 300 mm × 300 mm (wafers de 12 polegadas, painéis)
    Repetibilidade de estágio ±1 µm
    Suporte SECS/GEM Sim (E30, E37, HSMS)
    Medição de estresse Inclui (arco a laser + fórmula Stoney)
    Dimensões (unidade do sistema) 800 mm (L) × 900 mm (P) × 1700 mm (A)
    Poder 100–240 VCA, 50/60 Hz, 500 W

    Aplicações – Comprovadas em Materiais de Produção

    Material Faixa de espessura Modo Tempo típico de teste
    O filme Attach (DAF) 10–50 µm SR 0,5 segundos/ponto
    Composto para moldagem (epóxi) 100–500 µm SR 0,5 segundos/ponto
    passivação de nitreto de silício 100–500 nm SE 2 segundos/ponto
    camada de proteção de poliimida 5–15 µm SR ou SE 2 segundos/ponto
    SiO₂ sobre Si (óxido de porta fino) 1–200 nm SE 2 segundos/ponto
    Bicamada (Poliimida + SiO₂) 10 µm + 500 nm SR+SE sequencial 4,5 segundos/site

    ✅ Validado emLaminação DAF,moldagem por compressão,colagem de matriz, epassivação em nível de waferlinhas.


    Como funciona

    1. Carregarum wafer ou substrato (manual ou AMHS).

    2. SelecioneReceita (pilha de materiais, locais de medição). O sistema escolhe automaticamente SR ou SE.

    3. Medir– Óptica de banda larga e estágio de precisão coletam dados espectrais.

    4. Saídamapa de espessura, índice de refração (n,k) e tensão do wafer.

    5. EnviarEnvio de dados para o host da fábrica via SECS/GEM para ajuste de processo em circuito fechado.


    Por que escolher o HFT‑1000 em vez de outras opções?

    Abordagem da concorrência Limitação Vantagem HFT-1000
    Elipsômetro de modo único Não é possível medir filmes espessos (>50 µm) O modo SR cobre até 500 µm.
    Interferômetro confocal/de luz branca Baixa resolução em películas finas transparentes O modo SE resolve
    Perfilador de caneta de contato Lento, danifica películas macias (DAF) Sem contato, 0,5 segundos/ponto
    Ferramenta separada para medição de estresse Manuseio extra, erros de alinhamento Arco integrado + Stoney em uma única ferramenta

    Integração e suporte de fábrica

    • Padrão SECS/GEM– Compatível com sistemas MES existentes (testado e aprovado em fábrica).

    • Modo offline– Operação independente para estudos de engenharia.

    • Diagnóstico remoto– Acesso VPN seguro para suporte do Himalaia.

    • Kit de calibração– Inclui wafers de referência de SiO₂ em Si com rastreabilidade NIST.


    Informações para encomenda

    Modelo Descrição
    HFT‑1000‑SRSE Sistema básico: 250–1000 nm, plataforma de movimento, SECS/GEM, módulo de tensão
    -DUV Extensão DUV opcional (193 nm para filmes high-k ultrafinos)
    -SWIR Extensão SWIR opcional (2500 nm para inspeção de epóxi espesso ou silício)
    -AMHS Interface automatizada para manuseio de materiais (porta de carga, mapeamento)

    Configurações personalizadas disponíveis – entre em contato com o departamento de vendas.


    Solicite um orçamento ou uma demonstração.

    Oferecemos demonstrações no local emJiangsu Himalaya Semiconductor Co., Ltd.(Suzhou, China) ou testes remotos ao vivo com suas amostras de wafers.

    📧E-mail: seaman@himalayasemi.com
    📞Telefone: +86-15995822759
    🌐Web: www.himalayasemi.com

    Endereço da empresa:
    Sala 4234, Edifício 11, nº 1258 Jinfeng South Road, Cidade de Mudu, Distrito de Wuzhong, Cidade de Suzhou, China