Sistema de corte a laser de wafers de silício | Corte discreto para SiC e safira
Resumo da Produção (Em Resumo)
- Materiais:Si, SiC, Safira, wafers relacionados a energia solar/fotovoltaica
- Tamanhos de wafer:4", 6", 8" (Padrão), 12" (Opcional)
- Velocidade máxima de processamento:Até1000 mm/s
- Tipo de laser: Infravermelho (IV),10–200 kHzfrequência de repetição
- Processo:Modificação interna → expansão/separação do filme → clivagem (separação da matriz)
- Benefícios:Baixa formação de lascas, baixa geração de detritos, potencial para ruas estreitas, processo a seco (sem etapa de limpeza)
Âmbito de aplicação (Pan-Semiconductor)
Esse dados furtivos O sistema foi projetado para materiais de difícil corte e aplicações sensíveis ao rendimento:
- Pastilhas de silício (Si):lógica, memória e dispositivos semicondutores em geral
- Carboneto de silício (SiC):Dispositivos de potência (por exemplo, MOSFETs) onde a redução da perda por corte é crítica.
- Pastilhas de safira para LEDs:Alta qualidade de borda para suportar o desempenho de extração de luz.
- Materiais solares/fotovoltaicos:Processamento de alta velocidade para uma produtividade com boa relação custo-benefício.
Correção de contorno grande angularestá incluído para ajudar no processowafers parciais ou danificadosAutomaticamente, reduzindo o desperdício desnecessário e a intervenção manual.
Como funciona o método de dados furtivo (dados com modificação interna)
Ao contrário do corte com lâmina, o corte furtivo é umseco, sem contatométodo. O “corte” é criadodentroa pastilha, não na superfície.
Processo de 3 etapas
- Foco interno:O laser infravermelho atravessa a superfície do wafer e focaliza em uma profundidade controlada dentro do substrato.
- Formação da camada de modificação:A energia do laser cria uma "camada laser" interna controlada (microfissura/região modificada) ao longo das linhas de corte.
- Expansão e clivagem da fita:Uma força externa (normalmente a expansão da película/fita) separa o wafer de forma limpa ao longo das linhas de tensão internas.
Resultado:Separação limpa com redução de lascas e detritos em comparação com o corte mecânico.
Fluxograma típico do processo:
- Processamento a laser para formar a camada de corte interna
- Expansão/separação do filme
- Clivagem (separação de matrizes)
Principais características: Projetado para produção
Correção de contorno de grande angular (compatível com wafers quebrados/parciais)
A correção automática de contornos permite um processamento estável mesmo quando os wafers estão incompletos ou danificados, melhorando a utilização e reduzindo o retrabalho manual.
Leitura de código de barras para gerenciamento de receitas
O carregamento de parâmetros baseado em código de barras permite um controle de produção consistente e a troca rápida de receitas para a fabricação de produtos de alta variedade.
Plataforma de movimento de alta precisão (processamento estável e repetível)
A plataforma foi projetada para movimentos de alta velocidade e alta precisão, visando a formação consistente de camadas internas em alta produtividade.
Foco automático + foco automático dinâmico (profundidade de modificação consistente)
A estabilidade do foco é essencial no corte furtivo. O sistema utiliza autofoco e autofoco dinâmico para ajudar a manter uma profundidade de processamento interna estável em wafers com variação na altura da superfície (a estabilidade da profundidade da camada SD é garantida pelo design de autofoco).
Configuração de visão multi-CCD
Diversas opções de CCD oferecem suporte ao alinhamento e manuseio automatizados, incluindo:
- correção de ângulo
- correção de nível
- calibração do ponto de referência
- ajuste automático de brilho do CCD
- Reconhecimento/manuseio de fragmentos residuais de wafer
Maior aproveitamento do wafer em comparação com o corte por lâmina.
Em comparação com o corte com lâmina (roda), o corte de ruas pode ser reduzido pormais de 50%, melhorando a quantidade de chips por wafer — o que é especialmente valioso em substratos de alto custo, como SiC e safira.
Processo a seco (não requer limpeza)
Como o processamento é sem contato e a seco, ele pode reduzir as necessidades de limpeza relacionadas a detritos e simplificar o fluxo de trabalho posterior.
Preparado para automação (padrão de 4/6/8 polegadas, opcional de 12 polegadas)
O carregamento/descarregamento automático favorece uma operação eficiente e permite que um único operador monitore várias ferramentas (dependendo do fluxo de trabalho da fábrica).
Módulos-chave que impulsionam o desempenho
Sistema óptico infravermelho personalizado + fonte de laser
- Fonte de laser infravermelho dedicada e caminho óptico compatível.
- Frequência de repetição: 10–200 kHz
- O design óptico permite o fornecimento estável de energia para modificações internas consistentes e maior velocidade de produção.
Plataforma de movimento de alta velocidade e alta precisão + controle de movimento
- Movimento X/Y de alta velocidade para maior produtividade
- Mecânica e controle de precisão projetados para qualidade de linha consistente e repetibilidade.
Sistema de foco automático
Um sensor de distância de precisão mede a altura da superfície do wafer em tempo real. O mecanismo de foco automático ajusta a posição focal de acordo para estabilizar a profundidade da modificação interna, apesar da variação da superfície.
Suporte e logística globais
Entendemos que a fabricação de semicondutores é uma operação global que funciona 24 horas por dia, 7 dias por semana. Atualmente, esses equipamentos estão contribuindo para o aumento da produtividade nos principais polos de semicondutores do mundo.
- Ásia-Pacífico:Suporte completo para fábricas de alto volume emChina, Taiwan, Japão e Coreia do Sul.
- Sudeste Asiático:Logística estabelecida para linhas de montagem de retaguarda emMalásia, Singapura, Vietname e Tailândia.
- Mercados Ocidentais:Atendemos instalações de P&D e produção em todo o país.Europa (Alemanha, Reino Unido, França)eAméricas (EUA, México, Brasil).
Especificações técnicas (consistentes)
| Parâmetro | Especificação |
|---|---|
| Compatibilidade de wafers | 4", 6", 8" (Padrão), 12" (Opcional) |
| Velocidade máxima de processamento | Até1000 mm/s |
| Tipo laser | Infravermelho (IV) |
| Frequência de repetição | 10–200 kHz |
| Precisão de posicionamento (repetibilidade) | ±1 µm |
| Retilineidade do eixo X | ±1 µm / 300 mm |
| Faixa de movimento (X/Y) | 430 mm × 550 mm |
| Repetibilidade do eixo Z | ±1 µm |
| Rotação Theta (θ) | 210°faixa,15 segundos de arcoresolução |
| Planicidade do palco | ≤ ±5 µm(dentro de um alcance de 200 mm) |
| Requisitos das instalações | Sala limpa Classe 1000, 220 V monofásica, CDA 0,5–0,8 MPa |
Requisitos das instalações (Condições de instalação)
- Temperatura:22°C ± 2°C
- Umidade:30–60%
- Limpeza:Sala limpa Classe 1000 ou superior
- CDA (pressão atmosférica):0,5–0,8 MPa
- Poder:Monofásico 220V, 50Hz, ≥20A
- Flutuação de energia:
- Dimensões do equipamento:1500 (L) × 2100 (C) × 2180 (A) mm
- Peso líquido:3,2 toneladas
- Evite a instalação perto de: fontes de alta vibração/impacto, forte interferência de alta frequência e zonas de rápida variação de temperatura.
Por que escolher esta máquina de corte a laser de silício?
Este equipamento de corte furtivo foi projetado para fabricantes que desejam superar as limitações do corte mecânico, especialmente para:
- Produção de dispositivos de potência SiC:Reduzir a perda de material no corte em substratos caros, ao mesmo tempo que melhora a qualidade da borda.
- Linhas de LED/safira:Suporte para bordas lisas para melhor consistência no desempenho óptico
- Produção de alta mistura:Fluxo de trabalho de receitas baseado em código de barras + recursos de alinhamento visual
- Fábricas que visam um rendimento estável:Plataforma de movimento de alta velocidade e foco dinâmico para resultados de produção repetíveis.
Perguntas frequentes (Perguntas comuns sobre produção)
1) Qual a diferença entre cortar com furtividade e cortar com lâmina?
O corte furtivo forma uma camada de modificação interna usando um laser infravermelho e a separa por meio de força controlada, em vez de cortar mecanicamente a superfície com uma lâmina.
2) Este processo é úmido? Requer limpeza?
É especificado como umsecoO processo foi concebido para reduzir os detritos e as etapas de limpeza em comparação com o corte com lâmina.
3) Quais tamanhos de wafer o sistema suporta?
4", 6", 8" padrão, com12" opcional.
4) Como o sistema mantém uma profundidade consistente nas camadas internas?
Ele usaautofoco + autofoco dinâmicocom umfoco automáticoMecanismo baseado na medição da altura da superfície em tempo real.
5) A ferramenta consegue lidar com wafers parcialmente danificados ou com defeito?
Sim.Correção de contorno grande angularSuporta o processamento automático de wafers parcialmente danificados/quebrados para reduzir o desperdício.
Entre em contato conosco (Demonstração/Orçamento)
Envie-nos o material do wafer (Si / SiC / safira), o tamanho, a espessura e a largura desejada da linha de contato. Podemos recomendar uma janela de processo e organizar uma avaliação de amostra ou um fluxo de trabalho de demonstração.