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Sistema de perfuração de microvias a laser TGV em nível de wafer para encapsulamento avançado de substratos de vidro.
Vias ultrafinas
≤5 µm de diâmetro, relação de aspecto até 1:100 para interconexões de alta densidade.
Alto rendimento
≥5000 pontos/s para produção em massa e fabricação em alto volume.
Multimaterial
Vidro de quartzo, borossilicato, sódio-cálcico e aluminossilicato.
Capacidade de Múltiplas Formas
Vias redondas, quadradas, cegas, passantes e microtrincheiras.
Precisão
Repetibilidade ≤±1 µm; precisão do padrão ≤±3 µm.
Manuseio automatizado
Suporta wafers de 4 a 12 polegadas, com carregamento tipo cesto.
Tecnologias Essenciais
Física da Modificação a Laser
Microestruturação controlada por laser para vias limpas.
Microestruturação controlada por laser para vias limpas.
Controle de movimento de alta precisão
Repetibilidade da plataforma XY ≤1 µm.
Repetibilidade da plataforma XY ≤1 µm.
Otimização do estresse térmico
Minimiza o aparecimento de fissuras no substrato e a tensão residual.
Minimiza o aparecimento de fissuras no substrato e a tensão residual.
Manuseio automatizado de wafers
Carregamento/descarregamento tipo cesto de 4 a 12 polegadas, compatível com FOUP.
Carregamento/descarregamento tipo cesto de 4 a 12 polegadas, compatível com FOUP.
Comparação de tecnologias
| Tecnologia | Via tamanho | Proporção da tela | Compatibilidade de materiais | Notas |
|---|---|---|---|---|
| Laser TGV | ≤5 µm | Até 1:100 | Quartzo, Borossilicato, Sódio-cálcico, Aluminossilicato | Ideal para embalagens de alta densidade. |
| Perfuração Mecânica | >30 µm | Limitado | Lento, risco de lascar | |
| Ataque químico | 10–50 µm | 1:5–1:20 | Somente vidro | Controle de forma deficiente, isotrópico |
| Perfuração ultrassônica | >20 µm | Limitado | Não é adequado para circuitos integrados de passo fino. |
Especificações técnicas
Tamanho do substratowafers de vidro redondos ou quadrados de 4 a 12 polegadas
Método de carregamentoTipo cesta automática / cassete
Método de processamentoPlataforma de movimento XY de alta precisão com laser fixo
Velocidade da plataforma≤1000 mm/s
Diâmetro mínimo da passagem5 µm
Proporção máxima1:100
Repetibilidade da plataforma≤±1 µm
Precisão de posicionamento
Precisão do padrão≤±3 µm em um campo de 300 mm
Capacidade de processamento≥5000 pontos/s
Aplicações
Embalagem de CI à base de vidro Circuitos integrados de controle de vídeo Interconexões de alta densidade MEMS e módulos de sensores Embalagem óptica e de radiofrequência Aceleradores HPC e de IA (interpositores de vidro)
Guia de Seleção
Escolha este sistema se a sua produção exigir:
- Vias ultrafinas ≤5 µm
- Alta proporção de aspecto (1:100)
- Perfuração com múltiplos formatos (cega, passante, de vala)
- Alto volume de processamento (≥5000 pontos/s)
- Compatibilidade com múltiplos substratos de vidro
- Precisão de alinhamento rigorosa (
Tendências Futuras
Adoção rápida
Interconexões de vidro para aceleradores de HPC e IA.
demanda por vias sub-5 µm
Crescente necessidade de maior densidade de interconexões.
Ligação híbrida e revestimento de cobre
Integração perfeita com fluxos de trabalho de enchimento de metal.
Embalagem em nível de painel (PLP)
Escalabilidade para substratos de vidro de grande formato.
Perguntas frequentes
Q1: Qual é o menor tamanho de via possível?
A: 5 µm, permitindo interconexões de alta densidade para embalagens de vidro avançadas.
Q2: Quais materiais de vidro são compatíveis?
A: Quartzo, borossilicato, vidro sódio-cálcico, aluminossilicato e outros.
Q3: Quais proporções de tela são possíveis?
A: Até 1:100 para vias profundas e estreitas sem fissuras.
Q4: Qual é a velocidade de produção da perfuração?
A: ≥5000 pontos/s, adequado para produção em massa e fábricas de alto volume.
Q5: Quais aplicações se beneficiam mais?
A: Embalagens de circuitos integrados de vidro, drivers de tela, MEMS, interconexões de alta densidade, aceleradores de IA.
Q6: O sistema lida com vias cegas e vias passantes?
A: Sim, capacidade para múltiplos formatos: vias redondas, quadradas, cegas, passantes e microtrincheiras.
Desbloqueie o potencial das embalagens com substrato de vidro.
Sistema de perfuração a laser TGV de precisão projetado para substratos de circuitos integrados de última geração, interconexões e integração heterogênea 3D.
≥5000 vias/s 5 µm / 1:100 AR Repetibilidade de ±1 µm
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