ระบบวัดความหนาฟิล์มแบบไฮบริด Himalaya HFT‑1000
คุณสมบัติหลัก
| คุณสมบัติ | ผลประโยชน์ |
|---|---|
| ระบบไฮบริด SR + SE ในหัวเดียว | วัดฟิล์มทั้งแบบหนา (500 นาโนเมตร–500 ไมโครเมตร) และแบบบาง (0.5 นาโนเมตร–50 ไมโครเมตร) โดยไม่ต้องเปลี่ยนเครื่องมือ |
| ความแม่นยำระดับซับนาโนเมตร | ≤0.013 นาโนเมตร (คงที่) บน SiO₂ 202 นาโนเมตร – เชื่อมั่นในขีดจำกัดการควบคุมกระบวนการของคุณ |
| การคำนวณความเค้นของเวเฟอร์ในตัว | ใช้สูตรของ Stoney พร้อมการวัดคันธนูด้วยเลเซอร์ในตัว – ไม่ต้องใช้เครื่องมืออื่นเพิ่มเติม |
| SECS/GEM (SEMI E30, E37) | การทำงานร่วมกับระบบหลักของโรงงาน, AMHS และ MES อย่างราบรื่น รองรับโหมดออนไลน์/ออฟไลน์ |
| เลนส์บรอดแบนด์ (250–1000 นาโนเมตร) | มาตรฐาน; สามารถขยายไปถึงช่วง DUV (193 นาโนเมตร) หรือ SWIR (2500 นาโนเมตร) สำหรับวัสดุขั้นสูง |
| แท่นเคลื่อนที่ความแม่นยำสูง | ความแม่นยำในการทำซ้ำ ±1 µm ความเร็วในการสแกน 100 มม./วินาที – การทำแผนที่เวเฟอร์ขนาด 12 นิ้วเต็มรูปแบบในเวลา |
ข้อกำหนดทางเทคนิค
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ช่วงความหนา (โหมด SR) | 500 นาโนเมตร – 500 ไมโครเมตร |
| ช่วงความหนา (โหมด SE) | 0.5 นาโนเมตร – 50 ไมโครเมตร |
| ช่วงความยาวคลื่น (มาตรฐาน) | 250 – 1000 นาโนเมตร |
| ตัวเลือกที่ขยายได้ | 193 นาโนเมตร (DUV) หรือ 2500 นาโนเมตร (SWIR) |
| ความสามารถในการทำซ้ำ (1018 นาโนเมตร SiO₂ บน Si) | คงที่: ≤0.026 นาโนเมตร; เคลื่อนไหว: ≤0.034 นาโนเมตร |
| ความสามารถในการทำซ้ำ (SiO₂ 202 นาโนเมตรบน Si) | สถิต: ≤0.013 นาโนเมตร |
| ขนาดจุดวัด | 10 µm – 200 µm (ผู้ใช้สามารถเลือกได้) |
| การเดินทางบนเวที | 300 มม. × 300 มม. (แผ่นเวเฟอร์ขนาด 12 นิ้ว, แผง) |
| ความสามารถในการทำซ้ำของขั้นตอน | ±1 µm |
| การสนับสนุน SECS/GEM | ใช่ (E30, E37, HSMS) |
| การวัดความเครียด | สิ่งที่มีให้ในชุด (ธนูเลเซอร์ + สูตรสโตนี่) |
| ขนาด (หน่วยระบบ) | 800 มม. (กว้าง) × 900 มม. (ลึก) × 1700 มม. (สูง) |
| พลัง | 100–240 โวลต์ AC, 50/60 เฮิร์ตซ์, 500 วัตต์ |
การใช้งาน – พิสูจน์แล้วในวัสดุที่ใช้ในกระบวนการผลิต
| วัสดุ | ช่วงความหนา | โหมด | เวลาทดสอบโดยทั่วไป |
|---|---|---|---|
| ฟิล์มแนบ (DAF) | 10–50 ไมโครเมตร | เอสอาร์ | 0.5 วินาที/จุด |
| สารประกอบขึ้นรูป (อีพ็อกซี่) | 100–500 ไมโครเมตร | เอสอาร์ | 0.5 วินาที/จุด |
| การเคลือบผิวด้วยไนไตรด์ซิลิคอน | 100–500 นาโนเมตร | เอสอี | 2 วินาที/จุด |
| ชั้นบัฟเฟอร์โพลีอิไมด์ | 5–15 ไมโครเมตร | SR หรือ SE | 2 วินาที/จุด |
| SiO₂ บน Si (ออกไซด์ประตูบาง) | 1–200 นาโนเมตร | เอสอี | 2 วินาที/จุด |
| ชั้นคู่ (โพลีอิไมด์ + ซิลิกอนออกไซด์) | 10 µm + 500 nm | SR+SE แบบลำดับ | 4.5 วินาที/ไซต์ |
✅ ผ่านการตรวจสอบแล้วบนการเคลือบ DAF,การขึ้นรูปด้วยการอัด,การเชื่อมได, และการเคลือบผิวระดับเวเฟอร์เส้น.
วิธีการทำงาน
-
โหลดแผ่นเวเฟอร์หรือแผ่นรองพื้น (แบบแมนนวลหรือแบบ AMHS)
-
เลือกสูตร (ลำดับวัสดุ จุดวัด) ระบบจะเลือก SR หรือ SE โดยอัตโนมัติ
-
วัด– ระบบเลนส์บรอดแบนด์และแท่นวางชิ้นงานความแม่นยำสูงช่วยรวบรวมข้อมูลสเปกตรัม
-
เอาต์พุตแผนที่ความหนา ดัชนีหักเห (n,k) และความเค้นของแผ่นเวเฟอร์
-
ส่งส่งข้อมูลไปยังโฮสต์โรงงานผ่าน SECS/GEM เพื่อปรับกระบวนการแบบวงปิด
เหตุใดจึงควรเลือก HFT-1000 มากกว่าตัวเลือกอื่นๆ?
| แนวทางการแข่งขัน | ข้อจำกัด | ข้อดีของ HFT-1000 |
|---|---|---|
| เครื่องวัดความรีแบบโหมดเดี่ยว | ไม่สามารถวัดฟิล์มหนา (>50 µm) ได้ | โหมด SR ครอบคลุมถึง 500 µm |
| คอนโฟคอล / อินเตอร์เฟอโรเมตรแสงขาว | ความละเอียดต่ำบนฟิล์มบางโปร่งใส | โหมด SE มีความละเอียด |
| เครื่องมือวัดความเรียบของหัวปากกาแบบสัมผัส | ช้า และทำให้ฟิล์มอ่อนเสียหาย (DAF) | ไม่ต้องสัมผัส, 0.5 วินาที/จุด |
| เครื่องมือวัดความเครียดแยกต่างหาก | การจัดการเพิ่มเติม ข้อผิดพลาดในการจัดแนว | คันธนูแบบบูรณาการ + เครื่องมือ Stoney ในเครื่องเดียว |
การบูรณาการและการสนับสนุนจากโรงงาน
-
มาตรฐาน SECS/GEM– สามารถใช้งานร่วมกับระบบ MES ที่มีอยู่เดิมได้ทันที (ผ่านการทดสอบการยอมรับจากโรงงานแล้ว)
-
โหมดออฟไลน์– การทำงานแบบอิสระสำหรับการศึกษาด้านวิศวกรรม
-
การวินิจฉัยระยะไกล– การเข้าถึง VPN ที่ปลอดภัยสำหรับการสนับสนุนจาก Himalaya
-
ชุดสอบเทียบ– ประกอบด้วยเวเฟอร์อ้างอิง SiO₂ บนซิลิคอนที่สามารถตรวจสอบย้อนกลับได้ตามมาตรฐาน NIST
ข้อมูลการสั่งซื้อ
| แบบอย่าง | คำอธิบาย |
|---|---|
| HFT‑1000‑SRSE | ระบบพื้นฐาน: 250–1000 นาโนเมตร, แท่นเคลื่อนที่, SECS/GEM, โมดูลวัดแรงดึง |
| -DUV | ตัวเลือกเสริมการขยายช่วง DUV (193 นาโนเมตร สำหรับฟิล์มไฮเคบางเฉียบ) |
| -สวีอาร์ | ตัวเลือกเสริม SWIR extension (2500 นาโนเมตร สำหรับการตรวจสอบอีพ็อกซี่หรือซิลิคอนหนา) |
| -AMHS | อินเทอร์เฟซการจัดการวัสดุอัตโนมัติ (พอร์ตโหลด, การจับคู่) |
สามารถกำหนดค่าตามความต้องการของลูกค้าได้ โปรดติดต่อฝ่ายขาย
ขอใบเสนอราคาหรือชมการสาธิต
เรามีบริการสาธิตการใช้งานถึงที่ ณ สถานที่ของคุณบริษัท เจียงซู หิมาลัย เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด(ซูโจว ประเทศจีน) หรือการทดสอบแบบเรียลไทม์จากระยะไกลด้วยแผ่นเวเฟอร์ตัวอย่างของคุณ
📧อีเมล: seaman@himalayasemi.com
📞โทรศัพท์: +86-15995822759
🌐เว็บไซต์: www.himalayasemi.com
ที่อยู่บริษัท:
ห้อง 4234 อาคาร 11 เลขที่ 1258 ถนนจินเฟิงใต้ ตำบลมู่ตู อำเภออู๋จง เมืองซูโจว ประเทศจีน