ระบบตัดแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนด้วยเลเซอร์ | การตัดแบบซ่อนเร้นสำหรับ SiC และแซฟไฟร์

ภาพรวมโดยสังเขป (สรุปกระบวนการผลิต)

• วัสดุ:เวเฟอร์ Si, SiC, แซฟไฟร์, และเวเฟอร์ที่เกี่ยวข้องกับเซลล์แสงอาทิตย์/แผงโซลาร์เซลล์
• ขนาดของเวเฟอร์:4", 6", 8" (มาตรฐาน), 12" (ตัวเลือกเสริม)
• ความเร็วในการประมวลผลสูงสุด:สูงสุด1000 มม./วินาที
• ประเภทเลเซอร์: อินฟราเรด (IR),10–200 kHzความถี่ในการทำซ้ำ
• กระบวนการ:การดัดแปลงภายใน → การขยาย/แยกฟิล์ม → การตัด (การแยกชิ้นส่วน)
• ประโยชน์:มีเศษหินกระเด็นน้อย เศษวัสดุน้อย เหมาะสำหรับถนนแคบ กระบวนการแห้ง (ไม่มีขั้นตอนการทำความสะอาด)

ขอบเขตการใช้งาน (ครอบคลุมเซมิคอนดักเตอร์ทุกประเภท)

นี้ การทอยลูกเต๋าแบบเงียบๆ ระบบนี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับวัสดุที่ตัดยากและงานที่ต้องการผลผลิตสูง:

• แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน (Si):อุปกรณ์ตรรกะ หน่วยความจำ และอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทั่วไป
• ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC):อุปกรณ์กำลังไฟฟ้า (เช่น MOSFET) ที่การลดการสูญเสียจากการตัดเป็นสิ่งสำคัญ
• แผ่นเวเฟอร์แซฟไฟร์ LED:คุณภาพขอบภาพสูงเพื่อรองรับประสิทธิภาพการสกัดแสง
• วัสดุสำหรับแผงโซลาร์เซลล์ / โฟโตโวลตาอิก:การประมวลผลความเร็วสูงเพื่อประสิทธิภาพด้านต้นทุน

การแก้ไขเส้นขอบมุมกว้างรวมไว้เพื่อช่วยในการประมวลผลแผ่นเวเฟอร์บางส่วนหรือเสียหายโดยอัตโนมัติ ช่วยลดเศษวัสดุที่ไม่จำเป็นและการแทรกแซงจากแรงงานคน

---

วิธีการทำงานของการหั่นแบบซ่อนเร้น (การหั่นโดยการดัดแปลงภายใน)

ต่างจากการเลื่อยด้วยใบเลื่อย การหั่นแบบเงียบๆ เป็นอีกวิธีหนึ่งแบบแห้ง ไม่สัมผัสวิธีการ “ตัด” นั้นถูกสร้างขึ้นข้างในแผ่นเวเฟอร์ ไม่ใช่บนพื้นผิว

กระบวนการ 3 ขั้นตอน

1. การมุ่งเน้นภายใน:เลเซอร์อินฟราเรดจะทะลุผ่านพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์และโฟกัสที่ความลึกที่ควบคุมได้ภายในวัสดุรองรับ
2. การก่อตัวของชั้นดัดแปลง:พลังงานเลเซอร์สร้าง "ชั้นเลเซอร์" ภายในที่ควบคุมได้ (รอยแตกขนาดเล็ก / บริเวณที่ได้รับการดัดแปลง) ตามแนวเส้นตัด
3. การขยายและการแยกเทป:แรงภายนอก (โดยทั่วไปคือการขยายตัวของฟิล์ม/เทป) จะแยกแผ่นเวเฟอร์ออกจากกันอย่างสะอาดตามแนวเส้นแรงเค้นภายใน

ผลลัพธ์:การแยกชิ้นส่วนที่สะอาดกว่า ลดการแตกหักและเศษวัสดุเมื่อเทียบกับการตัดด้วยเครื่องจักรกล

ขั้นตอนการทำงานโดยทั่วไป:

• การใช้เลเซอร์ในการสร้างชั้นตัดภายใน
• การขยายตัว/การแยกตัวของฟิล์ม
• การแยกชิ้นส่วน (การแยกแม่พิมพ์)

---

คุณสมบัติหลัก ออกแบบมาเพื่อการผลิต

การแก้ไขขอบภาพมุมกว้าง (รองรับเวเฟอร์ที่แตก/เสียหายบางส่วน)

การแก้ไขรูปทรงอัตโนมัติช่วยให้การประมวลผลมีเสถียรภาพแม้ว่าแผ่นเวเฟอร์จะไม่สมบูรณ์หรือเสียหาย ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการใช้งานและลดการแก้ไขงานด้วยตนเอง

การสแกนบาร์โค้ดสำหรับการจัดการสูตรอาหาร

การโหลดพารามิเตอร์ด้วยบาร์โค้ดช่วยให้ควบคุมการผลิตได้อย่างสม่ำเสมอและสลับสูตรการผลิตได้อย่างรวดเร็วสำหรับการผลิตที่มีผลิตภัณฑ์หลากหลาย

แท่นวางเคลื่อนที่ความแม่นยำสูง (การประมวลผลที่เสถียรและทำซ้ำได้)

แพลตฟอร์มนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อการเคลื่อนที่ด้วยความเร็วสูงและมีความแม่นยำสูง เพื่อรองรับการขึ้นรูปชั้นภายในที่สม่ำเสมอในระดับการผลิต

ระบบโฟกัสอัตโนมัติ + ระบบโฟกัสอัตโนมัติแบบไดนามิก (การปรับความลึกโฟกัสอย่างสม่ำเสมอ)

ความเสถียรของโฟกัสเป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่งในการตัดแผ่นเวเฟอร์แบบซ่อนเร้น ระบบนี้ใช้ระบบโฟกัสอัตโนมัติและโฟกัสอัตโนมัติแบบไดนามิกเพื่อช่วยรักษาระดับความลึกในการประมวลผลภายในให้คงที่ทั่วทั้งแผ่นเวเฟอร์ที่มีความสูงของพื้นผิวแตกต่างกัน (ความเสถียรของความลึกของชั้น SD ได้รับการสนับสนุนโดยการออกแบบโฟกัสติดตามอัตโนมัติ)

การกำหนดค่าการมองเห็นแบบมัลติ CCD

มีตัวเลือก CCD หลายแบบที่รองรับการจัดตำแหน่งและการจัดการแบบอัตโนมัติ รวมถึง:

• การแก้ไขมุม
• การแก้ไขระดับ
• การสอบเทียบจุดอ้างอิง
• การปรับความสว่าง CCD อัตโนมัติ
• การระบุ/การจัดการเศษชิ้นส่วนเวเฟอร์ที่เหลืออยู่

การใช้ประโยชน์จากเวเฟอร์ได้สูงกว่าเมื่อเทียบกับการตัดด้วยใบมีด

เมื่อเปรียบเทียบกับการตัดด้วยใบมีด (ล้อ) การตัดถนนสามารถลดจำนวนครั้งลงได้โดยมากกว่า 50%ซึ่งช่วยเพิ่มจำนวนชิ้นส่วนต่อแผ่นเวเฟอร์ โดยเฉพาะอย่างยิ่งมีประโยชน์อย่างมากสำหรับวัสดุพื้นฐานที่มีราคาสูง เช่น ซิลิคอนคาร์ไบด์และแซฟไฟร์

กระบวนการแบบแห้ง (ไม่ต้องทำความสะอาด)

เนื่องจากการประมวลผลเป็นแบบไม่สัมผัสและเป็นแบบแห้ง จึงสามารถลดความต้องการในการทำความสะอาดที่เกี่ยวข้องกับเศษวัสดุ และทำให้ขั้นตอนการทำงานเบื้องหลังง่ายขึ้น

พร้อมสำหรับการใช้งานร่วมกับระบบอัตโนมัติ (ขนาดมาตรฐาน 4/6/8 นิ้ว, ขนาด 12 นิ้วเป็นตัวเลือกเสริม)

ระบบการโหลด/ขนถ่ายอัตโนมัติช่วยให้การทำงานมีประสิทธิภาพ และช่วยให้ผู้ปฏิบัติงานเพียงคนเดียวสามารถตรวจสอบเครื่องมือหลายชิ้นได้ (ขึ้นอยู่กับขั้นตอนการทำงานของโรงงาน)

---

โมดูลหลักที่ขับเคลื่อนประสิทธิภาพ

ระบบออปติคอลอินฟราเรดแบบกำหนดเอง + แหล่งกำเนิดแสงเลเซอร์

• แหล่งกำเนิดเลเซอร์อินฟราเรดโดยเฉพาะและเส้นทางแสงที่เหมาะสม
• ความถี่ในการทำซ้ำ: 10–200 kHz
• การออกแบบทางแสงช่วยให้การส่งพลังงานมีเสถียรภาพ เพื่อการปรับเปลี่ยนภายในที่สม่ำเสมอและความเร็วในการผลิต

แพลตฟอร์มเคลื่อนที่ความเร็วสูง ความแม่นยำสูง + ระบบควบคุมการเคลื่อนที่

• การเคลื่อนที่ X/Y ความเร็วสูงเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน
• กลไกและการควบคุมที่มีความแม่นยำสูง ออกแบบมาเพื่อคุณภาพเส้นที่สม่ำเสมอและสามารถทำซ้ำได้

ระบบติดตามโฟกัสอัตโนมัติ

เซ็นเซอร์วัดระยะทางความแม่นยำสูงจะวัดความสูงของพื้นผิวเวเฟอร์แบบเรียลไทม์ กลไกติดตามโฟกัสจะปรับตำแหน่งโฟกัสตามนั้นเพื่อรักษาระดับความลึกของการปรับแต่งภายในให้คงที่ แม้ว่าพื้นผิวจะมีความแปรผันก็ตาม

---

การสนับสนุนและโลจิสติกส์ระดับโลก

เราเข้าใจดีว่าการผลิตเซมิคอนดักเตอร์เป็นการดำเนินงานระดับโลกตลอด 24 ชั่วโมง 7 วันต่อสัปดาห์ อุปกรณ์นี้กำลังช่วยปรับปรุงผลผลิตในศูนย์กลางการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่สำคัญทั่วโลก

• ภูมิภาคเอเชียแปซิฟิก:การสนับสนุนอย่างเต็มรูปแบบสำหรับโรงงานผลิตที่มีปริมาณการผลิตสูงในจีน ไต้หวัน ญี่ปุ่น และเกาหลีใต้.
• เอเชียตะวันออกเฉียงใต้:ระบบโลจิสติกส์ที่จัดตั้งขึ้นสำหรับสายการประกอบชิ้นส่วนท้ายเครื่องในมาเลเซีย สิงคโปร์ เวียดนาม และไทย.
• ตลาดตะวันตก:ให้บริการแก่ศูนย์วิจัยและพัฒนา และโรงงานผลิตทั่วประเทศยุโรป (เยอรมนี สหราชอาณาจักร ฝรั่งเศส)และทวีปอเมริกา (สหรัฐอเมริกา เม็กซิโก บราซิล).

---

ข้อกำหนดทางเทคนิค (สอดคล้องกัน)

ข้อกำหนดด้านสถานที่ (เงื่อนไขการติดตั้ง)

• อุณหภูมิ:22°C ± 2°C
• ความชื้น:30–60%
• ความสะอาด:ห้องคลีนรูมระดับ 1000 หรือสูงกว่า
• CDA (ความดันอากาศ):0.5–0.8 MPa
• พลัง:เฟสเดียว 220V, 50Hz, ≥20A
• ความผันผวนของกระแสไฟฟ้า:
• ขนาดอุปกรณ์:1500(กว้าง) × 2100(ยาว) × 2180(สูง) มม.
• น้ำหนักสุทธิ:3.2 ตัน
• ควรหลีกเลี่ยงการติดตั้งใกล้กับ: แหล่งกำเนิดการสั่นสะเทือน/แรงกระแทกสูง, สัญญาณรบกวนความถี่สูงรุนแรง, บริเวณที่มีการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างรวดเร็ว

---

เหตุใดจึงควรเลือกเครื่องหั่นซิลิโคนด้วยเลเซอร์รุ่นนี้?

อุปกรณ์หั่นแบบซ่อนเร้นนี้ได้รับการออกแบบมาสำหรับผู้ผลิตที่ต้องการก้าวข้ามข้อจำกัดของการเลื่อยแบบกลไก โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับ:

• การผลิตอุปกรณ์ไฟฟ้า SiC:ลดการสูญเสียเนื้อวัสดุจากการตัดบนวัสดุราคาแพง พร้อมทั้งปรับปรุงคุณภาพขอบชิ้นงาน
• สาย LED/แซฟไฟร์:รองรับขอบเรียบเพื่อความสม่ำเสมอของประสิทธิภาพทางแสงที่ดีขึ้น
• การผลิตแบบผสมผสานสูง:เวิร์กโฟลว์สูตรอาหารที่ขับเคลื่อนด้วยบาร์โค้ด + คุณสมบัติการจัดตำแหน่งภาพ
• โรงงานที่มุ่งเน้นการผลิตที่มีอัตราการผลิตคงที่:แท่นเคลื่อนที่ความเร็วสูงและระบบโฟกัสแบบไดนามิกเพื่อผลลัพธ์การผลิตที่สม่ำเสมอ

---

คำถามที่พบบ่อย (FAQ)

1) การทอยลูกเต๋าแบบลอบเร้นกับการทอยลูกเต๋าแบบใช้ใบมีดต่างกันอย่างไร?
การตัดแบบล่องหน (Stealth dicing) สร้างชั้นปรับเปลี่ยนภายในโดยใช้เลเซอร์อินฟราเรด และแยกชิ้นส่วนด้วยแรงควบคุม แทนที่จะตัดผ่านพื้นผิวด้วยใบมีดโดยตรง

2) กระบวนการนี้เป็นกระบวนการเปียกหรือไม่? จำเป็นต้องทำความสะอาดหรือไม่?
มีการระบุไว้ว่าเป็นแห้งกระบวนการนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดเศษวัสดุและขั้นตอนการทำความสะอาดเมื่อเทียบกับการเลื่อยด้วยใบมีด

3) ระบบนี้รองรับขนาดเวเฟอร์แบบใดบ้าง?
ขนาดมาตรฐาน 4", 6", 8", กับขนาด 12 นิ้ว (เลือกได้).

4) ระบบรักษาระดับความลึกของชั้นภายในให้คงที่ได้อย่างไร?
มันใช้ระบบโฟกัสอัตโนมัติ + ระบบโฟกัสอัตโนมัติแบบไดนามิกด้วยโฟกัสติดตามอัตโนมัติกลไกที่ใช้การวัดความสูงของพื้นผิวแบบเรียลไทม์

5) เครื่องมือนี้สามารถใช้งานกับเวเฟอร์ที่ชำรุดหรือเสียหายบางส่วนได้หรือไม่?
ใช่.การแก้ไขเส้นขอบมุมกว้างรองรับการประมวลผลอัตโนมัติของเวเฟอร์ที่ชำรุด/เสียหาย เพื่อลดเศษวัสดุ

---

ติดต่อเรา (ตัวอย่างการใช้งาน / ขอใบเสนอราคา)

โปรดส่งข้อมูลวัสดุเวเฟอร์ (Si / SiC / แซฟไฟร์), ขนาดเวเฟอร์, ความหนา และความกว้างของแถบที่ต้องการ เราสามารถแนะนำช่วงเวลาการผลิตที่เหมาะสม และจัดเตรียมการทดสอบตัวอย่างหรือขั้นตอนการสาธิตได้