
ระบบ CMP ขนาด 12 นิ้วประสิทธิภาพสูง: การขัดเงาอย่างแม่นยำสำหรับตัวเชื่อมต่อ TSV
12 มีนาคม 2026
ในโลกของการพัฒนาบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงที่เปลี่ยนแปลงอย่างรวดเร็ว การเปลี่ยนผ่านไปสู่... TSV (Through-Silicon Via) และ การซ้อนไอซีแบบ 3 มิติ ส่งผลให้เกิดความต้องการที่ไม่เคยมีมาก่อนต่อกระบวนการปรับผิวเรียบด้วยสารเคมีและเชิงกล (Chemical Mechanical Planarization: CMP) เพื่อรับมือกับความท้าทายเหล่านี้ บริษัท เจียงซู หิมาลัย เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด นำเสนอโซลูชัน CMP ขนาด 12 นิ้วแบบครบวงจรพร้อมใช้งานในกระบวนการผลิต ออกแบบมาสำหรับกระบวนการ Cu, Barrier และ Dielectric (SiO2) ที่เข้มงวดที่สุด


