การตัดด้วยเลเซอร์และระบบตัดแบบสามจุดสำหรับเวเฟอร์ขนาด 8 นิ้ว
Leave Your Message
AI Helps Write


หมวดหมู่สินค้า
สินค้าแนะนำ

คู่มือฉบับสมบูรณ์สำหรับการตัดแผ่นเวเฟอร์ SiC: การตัดด้วยเลเซอร์และการแยกแผ่นเวเฟอร์แบบสามจุดสัมผัส สำหรับ SiC 4H, SiC 6H และเวเฟอร์ขนาด 8 นิ้ว

โดย: ดร. เจียน หลี่ วิศวกรกระบวนการอาวุโส แผนกอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์
ดร.หลี่มีประสบการณ์ด้านการผลิตชิ้นส่วนขนาดเล็กมาก (ไมโครแมชชีนนิ่ง) มา 15 ปี

แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) มีลักษณะดังนี้ มีความแข็งสูงและเปราะมากในระหว่างกระบวนการหั่น พวกเขามีแนวโน้มที่จะประสบปัญหาต่างๆ เช่น การบิ่นและการแตกร้าวที่ไม่สม่ำเสมอซึ่งส่งผลโดยตรงต่อผลผลิตของชิปในรอบถัดไป การตัดด้วยใบมีดแบบดั้งเดิมทำให้เกิดโซนที่ได้รับผลกระทบจากความร้อน (HAZ) ขนาดใหญ่ ต้องใช้กระบวนการหลังการผลิตที่ซับซ้อน และมีปัญหาในการเคลือบโลหะด้านหลัง

เพื่อรับมือกับความท้าทายเหล่านี้ บริษัท เจียงซู หิมาลัย เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด (“หิมาลัย เซมิ”) นำเสนอบริการเฉพาะทาง การตัดแผ่นเวเฟอร์ SiC บทความนี้จะนำเสนอขั้นตอนการทำงานทั้งหมดของเรา ตั้งแต่การติดตั้งเวเฟอร์ไปจนถึงการดีดชิปออก พร้อมรายละเอียดทางเทคนิคอย่างละเอียดสำหรับโซลูชันของเรา แฟบซิล-แอลดี ซีรีส์ (การตัดด้วยเลเซอร์) และ ซีรีส์ Fabsil-WB ระบบ (การตัดแผ่นเวเฟอร์)

    ขั้นตอนการทำงานโดยละเอียดของการตัด SiC

    โซลูชันของเราใช้ ลำดับหกขั้นตอน ซึ่งเป็นการผสานรวมการตัดด้วยเลเซอร์เข้ากับการตัดด้วยกลไก รวมถึงขั้นตอนการจัดการเพิ่มเติมเพื่อการทำงานอัตโนมัติอย่างเต็มรูปแบบ

    หมายเหตุเกี่ยวกับการคัดเลือกภาพยนตร์

    ภาพยนตร์สีน้ำเงิน ใช้สำหรับการยึดแผ่นเวเฟอร์ (ขั้นตอนที่ 1) เพื่อยึดแผ่นเวเฟอร์ SiC ให้แน่นระหว่างการตัดด้วยเลเซอร์ หลังจากการประมวลผลด้วยเลเซอร์แล้ว ฟิล์ม PET มีการเคลือบ (ขั้นตอนที่ 3) เพื่อป้องกันเมล็ดธัญพืชที่หั่นเป็นชิ้นเล็กๆ ระหว่างการขนส่งและการบด ฟิล์ม PET มีความแข็งแรงสูงกว่าฟิล์มสีฟ้า ทำให้มั่นใจได้ว่าเมล็ดธัญพืชจะแยกออกจากกันอย่างสะอาดหมดจดในระหว่างกระบวนการบดแบบสัมผัสสามจุด

    ตารางขั้นตอนการทำงาน

    ขั้นตอน กระบวนการ อุปกรณ์ / ส่วนประกอบ ฟังก์ชันหลัก
    1 การติดตั้งเวเฟอร์ SiC ฟิล์มสีน้ำเงิน + การเคลือบโลหะด้านหลัง ยึดแผ่นเวเฟอร์ให้แน่นก่อนการประมวลผลด้วยเลเซอร์
    2 การตัดด้วยเลเซอร์นำทาง แฟบซิล-LD31S / แฟบซิล-LD31E สร้างรอยแตกก่อนภายในโดยใช้เลเซอร์พิโควินาที
    3 การเคลือบฟิล์ม PET โมดูลการเคลือบฟิล์ม PET ช่วยปกป้องเมล็ดธัญพืชที่หั่นเป็นลูกเต๋า และเพิ่มความแข็งแรงในการหั่น
    4 การหั่นเวเฟอร์ด้านหลัง แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส / แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี การตัดแยกแบบสัมผัสสามจุดจากด้านหลัง
    5 การหั่นเวเฟอร์ด้านหน้า โมดูลพลิกแบบรวม การผ่าแยกอย่างแม่นยำจากด้านหน้า (หลังจากการพลิกอัตโนมัติ)
    6 การดีดแม่พิมพ์ด้วยการขยายฟิล์ม โมดูลจับยึดแผ่นเวเฟอร์ การแยกและหยิบชิปขั้นสุดท้าย

    เจาะลึกเทคโนโลยี: การตัดด้วยเลเซอร์ (Fabsil-LD Series)

    เดอะ ซีรีส์ Fabsil-LD31S / Fabsil-LD31E ระบบตัดด้วยเลเซอร์เป็นอุปกรณ์แปรรูปที่มีความแม่นยำสูง โดยอาศัยหลักการพื้นฐานจาก... เทคโนโลยีการหั่นด้วยเลเซอร์ออกแบบมาเพื่อใช้ในการตัดแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) รุ่นที่สาม

    วิธีการทำงาน

    ด้วยการใช้ประโยชน์จากความโปร่งใสของ SiC ต่อความยาวคลื่นเลเซอร์เฉพาะ ทำให้สามารถโฟกัสเลเซอร์ได้ ข้างใน วัสดุนี้ ขั้นสูง เทคโนโลยีการประมวลผล "เย็น" ด้วยเลเซอร์พิโควินาที ทำงานโดยการสร้างความหนาแน่นของพลังงานที่สูงมาก (GW/cm²) ภายในพิโควินาที สิ่งนี้กระตุ้นให้เกิด ผลกระทบการดูดกลืนโฟตอนหลายตัวซึ่งก่อให้เกิดคลื่นกระแทกพลาสมา เมื่อรวมกับการเคลื่อนที่ด้วยความเร็วสูง จะเป็นตัวนำในการก่อตัวของรอยแตกเบื้องต้นเพื่อตัดวัสดุ

    ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคที่สำคัญ (ซีรี่ส์ Fabsil-LD)

    คุณสมบัติ ข้อกำหนด
    FDC (ระบบควบคุมความชัดลึก) ความแม่นยำในการควบคุมโฟกัส ≤ ±5 μmรองรับความหนาของแผ่นเวเฟอร์ที่แตกต่างกัน ≤ ±15 μm
    ความเร็วแกนตัด สูงสุด 1000 มม./วินาที ด้วยการผันผวนของการเคลื่อนไหวความเร็วสูง 
    ความแม่นยำของภาพ AI ±0.5 ไมโครเมตร สำหรับการระบุตำแหน่งการตัด ช่วยลดอัตราการแจ้งเตือนลงได้ 90%
    ความเข้ากันได้ของเวเฟอร์ ความหนา 4 นิ้ว, 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว 50–500 ไมโครเมตร
    การจัดการโลหะด้านหลัง ความหนาของโลหะด้านหลังด้ามจับ ≤5 ไมโครเมตร (เหมาะสมที่สุด: ไม่มีโลหะในถนนที่ใช้เล่นเกมลูกเต๋า)
    วิธีการตัด การตัดแบบแห้ง – ไม่ต้องใช้สารเคลือบป้องกัน ไม่ต้องทำความสะอาด ไม่ต้องลอกฟิล์มออก
    โหมดการหั่นลูกเต๋า รองรับการทอยลูกเต๋าทั้งด้านหน้าและด้านหลังด้วย กลไกการพลิกแบบบูรณาการ

    ระบบอัตโนมัติที่ขับเคลื่อนด้วย AI

    ผลิตภัณฑ์นี้ได้รับการพัฒนาบนแพลตฟอร์มเทคโนโลยี AI และวิชั่นของ Himalaya Semi โดยประกอบด้วย:

    • การจดจำเส้นขอบอัตโนมัติ

    • การปรับระดับอัตโนมัติ

    • การตั้งค่าจุดอ้างอิงอัตโนมัติ

    • การปรับโฟกัสอัตโนมัติ

    • เริ่มต้นใช้งานด้วยการคลิกเพียงครั้งเดียว พร้อมระบบอ่านบาร์โค้ดอัตโนมัติและการโหลดสูตรอาหาร

    • สถิติข้อมูลการผลิต การติดตามการใช้งานอุปกรณ์ และความสามารถในการอัปโหลดข้อมูล


    เจาะลึกเทคโนโลยี: การตัดเวเฟอร์ (Fabsil-WB Series)

    เดอะ ระบบตัดเวเฟอร์ Fabsil-WB32S / Fabsil-WB31E ซีรีส์ ผสานรวมกระบวนการตัดแผ่นเวเฟอร์ขั้นสูงและเทคโนโลยีควบคุมการเคลื่อนที่ความแม่นยำสูง ระบบเหล่านี้ช่วยให้การโหลด/ขนถ่ายแผ่นเวเฟอร์ การแก้ไขการจัดแนวภาพอัตโนมัติ การตัดและปรับแต่งอัตโนมัติ และการรายงานข้อมูลการผลิตเป็นไปโดยอัตโนมัติอย่างสมบูรณ์

    หลักการแตกหักจากการสัมผัสสามจุด

    หลังจากการตัดด้วยเลเซอร์ รอยแตกขนาดเล็กได้เกิดขึ้นทั้งบนด้านล่างและพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ แต่เม็ดเกรนแต่ละเม็ดยังไม่แยกออกจากกันโดยสมบูรณ์ กระบวนการตัดแบ่งนี้อาศัยหลักการของ... การแตกหักจากการสัมผัสสามจุด:

    1. จุดรองรับสองจุด วางอยู่ใต้แผ่นเวเฟอร์

    2. เอ ใบมีดหั่นลูกเต๋า (ตัวตี) จะถูกลดระดับลงเพื่อสัมผัสกับตำแหน่งการตัดจริงของแผ่นเวเฟอร์ ณ จุดกึ่งกลางระหว่างแท่นรองรับทั้งสองนี้

    3. สิ่งนี้ทำให้เมล็ดพืชแยกออกจากกัน ตลอดแนวเส้นทางการตัดด้วยเลเซอร์อย่างสมบูรณ์

    การหั่นแบบหน้า-หลัง

    กระบวนการ คำอธิบาย เหมาะสำหรับ
    การหั่นลูกเต๋าด้านหลัง รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ; ใบมีดสัมผัสจากด้านหลัง แผ่นเวเฟอร์ SiC มาตรฐานที่ไม่มีความไวต่อด้านบน
    การหั่นด้านหน้า การประมวลผลที่แม่นยำจากพื้นผิวด้านบน วัสดุทึบแสงหรือการใช้งานที่ไม่ต้องใช้แรงกดเหนือพื้นผิว
    พลิกอัตโนมัติ หลังจากหั่นด้านหลังเสร็จแล้ว กลไกพลิกในตัวจะพลิกแผ่นเวเฟอร์เพื่อหั่นด้านหน้าต่อ แผ่นเวเฟอร์ที่ต้องผ่านกระบวนการทั้งสองด้าน

    คุณสมบัติหลัก (ซีรีส์ Fabsil-WB)

    คุณสมบัติ ความสามารถ
    ความเข้ากันได้ที่แข็งแกร่ง รองรับเวเฟอร์ขนาด 4", 6", 8"; มาตรฐาน ซีซีเอส/จีเอ็ม อินเทอร์เฟซ
    การผลิตด้วยการคลิกเพียงครั้งเดียว การโหลด/ขนถ่ายตลับเทป การสแกนบาร์โค้ดอัตโนมัติ การจัดการเวเฟอร์แบบเต็มแผ่นและแบบแตกละเอียดอย่างเหมาะสม การปรับระดับอัตโนมัติ
    ความสม่ำเสมอของกระบวนการ การแก้ไขตำแหน่งการหั่นลูกเต๋าอัตโนมัติ และ การชดเชยความลึกของใบมีด
    โหมดการหั่นลูกเต๋าอเนกประสงค์ การทอยลูกเต๋าแบบเรียงลำดับ, การทอยลูกเต๋าแบบย้อนกลับ, การทอยลูกเต๋าแบบข้าม, การทอยลูกเต๋าแบบแบ่งเป็นสี่ส่วน
    วิสัยทัศน์ความแม่นยำสูง การจดจำภาพโดยใช้ AI เพื่อการระบุตัวตนที่ถูกต้องแม่นยำในผลิตภัณฑ์ที่หลากหลาย ป้องกันการระบุผิดพลาด

    ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญทั้งหมด: Fabsil-WB32S เทียบกับ Fabsil-WB31E

    ข้อกำหนดทั่วไปและข้อกำหนดกระบวนการ

    ข้อกำหนด แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี
    เส้นผ่านศูนย์กลางที่สามารถประมวลผลได้ 4 นิ้ว, 6 นิ้ว 4 นิ้ว, 6 นิ้ว, 8 นิ้ว
    เทคโนโลยีการผลิต การตัดเฉือนแบบสัมผัสสามจุด รองรับการตัดเฉือนด้านหน้าและด้านหลังสำหรับวัสดุทึบแสง เดียวกัน
    วัสดุที่เกี่ยวข้อง ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)

    ข้อมูลจำเพาะของแกนการเคลื่อนที่

    แกน พารามิเตอร์ แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี
    แกน Y การท่องเที่ยว 158 มม. 215 มม.
    ความเร็วสูงสุด 120 มม./วินาที 120 มม./วินาที
    ความตรง ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    ความสามารถในการทำซ้ำ ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    แกน X ด้านบน การท่องเที่ยว 265 มม. 340 มม.
    ความเร็วสูงสุด 120 มม./วินาที 120 มม./วินาที
    ความตรง ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    ความสามารถในการทำซ้ำ ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    แกน X ล่าง การท่องเที่ยว 158 มม. 215 มม.
    ความเร็วสูงสุด 120 มม./วินาที 120 มม./วินาที
    ความตรง ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    ความสามารถในการทำซ้ำ ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    แกน Z การท่องเที่ยว 60 มม. 60 มม.
    ความเร็วสูงสุด 50 มม./วินาที 50 มม./วินาที
    ความตรง ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    ความสามารถในการทำซ้ำ ±0.002 มม. ±0.002 มม.
    แกน R มุมการหมุน 120° 120°
    ความสามารถในการทำซ้ำ ±5 อาร์คเซค ±5 อาร์คเซค
    ความเร็วรอบ 90°/วินาที 90°/วินาที

    ข้อกำหนดทางกลและส่วนประกอบ

    ส่วนประกอบ พารามิเตอร์ แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี
    การกำหนดตำแหน่งเส้นขอบ วิธี การจัดตำแหน่งเส้นขอบแสงด้านหลัง เดียวกัน
    ความแม่นยำ 0.1 มม. 0.1 มม.
    ใบมีดหั่นลูกเต๋า วัสดุ เหล็กกล้า SK, HRC65 เหล็กกล้า SK, HRC65
    ความยาว 165 มม. 210 มม.
    ขั้นตอนการสนับสนุน วัสดุ SKD11, HRC58 SKD11, HRC58
    ความยาว 165 มม. 210 มม.
    สไตรเกอร์ พิมพ์ ตัวตีอิเล็กทรอนิกส์ที่มีแรงกระแทกที่ควบคุมได้ เดียวกัน
    ระบบกล้อง มุมกว้าง 5 MP (1 หน่วย) 5 MP (1 หน่วย)
    การแก้ไขมุม 1.6 MP (2 หน่วย) 1.6 MP (2 หน่วย)
    คอมพิวเตอร์อุตสาหกรรม คุณ ระบบปฏิบัติการ Windows 10, 64 บิต เดียวกัน
    แรม 16 GB เดียวกัน
    พื้นที่จัดเก็บ ฮาร์ดดิสก์ 1 เทราไบต์ เดียวกัน

    ข้อกำหนดด้านสถานที่และสิ่งแวดล้อม

    พารามิเตอร์ ข้อมูลจำเพาะ (ทั้งสองรุ่น)
    แหล่งจ่ายไฟ ระบบไฟฟ้าเฟสเดียว 220 V / 50 Hz / 10 A; ความผันผวนของแรงดันไฟฟ้า
    แรงดันอากาศอัด 0.6–0.8 MPa
    การไหลของอากาศอัด ≥80 ลิตร/นาที
    อุณหภูมิแวดล้อม 22 ± 2 องศาเซลเซียส
    ความชื้นสัมพัทธ์ 40%–60%
    ความสะอาด ชั้น 1000 หรือสูงกว่า
    การสั่นสะเทือนของพื้น แอมพลิจูด

    ขนาดและน้ำหนัก

    พารามิเตอร์ แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี
    ขนาด (กว้าง×ลึก×สูง) 1400 × 975 × 2100 มม. 1500 × 1120 × 2100 มม.
    น้ำหนักสุทธิ ประมาณ 0.9 ตัน ประมาณ 1 ตัน

    สถานที่ติดตั้งที่ต้องห้าม

    อุปกรณ์ต้อง ไม่ ควรจัดวางไว้ในพื้นที่ที่มีลักษณะดังต่อไปนี้:

    หมวดหมู่ ข้อห้ามเฉพาะเจาะจง
    อันตรายจากสารเคมี สถานที่ที่สามารถเข้าถึงสารเคมี วัตถุไวไฟ หรือวัตถุระเบิดได้
    การรบกวนทางไฟฟ้า พื้นที่ใกล้แหล่งความร้อนความถี่สูง
    ความไม่เสถียรทางความร้อน สถานที่ที่มีการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแวดล้อมอย่างรวดเร็ว
    สารปนเปื้อนในอากาศ พื้นที่ที่มีความเข้มข้นสูงของ CO₂, NOₓ หรือ SOₓ

    ขั้นตอนการจัดวางและประมวลผล (Fabsil-WB Series)

    ลำดับขั้นตอนการทำงานอัตโนมัติ

    การโหลดตลับ → การขนส่งทางราง → การอ่านบาร์โค้ด → การสกัดรูปทรง → การโหลดแท่นวาง → การตั้งจุดอ้างอิง → การสอบเทียบระดับ → การตัดเวเฟอร์ → การขนถ่ายเสร็จสมบูรณ์

    โมดูลระบบ

    โมดูล การทำงาน
    1. โมดูลตรวจจับภาพด้านหน้าสำหรับการหั่นลูกเต๋า การจัดแนวที่แม่นยำสำหรับการหั่นลูกเต๋าด้านหน้า
    2. โมดูลหั่นและแบ่ง กลไกการตัดแบบสัมผัสสามจุด
    3. โมดูลจับยึดแผ่นเวเฟอร์ ด้ามจับสำหรับหั่นเวเฟอร์เป็นชิ้นสี่เหลี่ยมลูกเต๋า
    4. โมดูลกำหนดตำแหน่งมุมกว้าง การตรวจจับขอบเวเฟอร์เบื้องต้น
    5. ขั้นตอนการประมวลผล แพลตฟอร์มการตัดเฉือนความแม่นยำสูง
    6. โมดูลการโหลด/ขนถ่าย การจัดการอัตโนมัติแบบใช้ตลับเทป

    โมดูลสนับสนุนเพิ่มเติม:

    • โมดูลแก้ไขระดับ

    • ระบบออปติคอลความแม่นยำสูง

    • โมดูลโคแอกเซียล / โมดูลเปลี่ยนวัสดุ

    • โมดูล FDC

    • โมดูลป้องกันการตก

    • มอเตอร์เชิงเส้นความแม่นยำสูง X/Y


    คำถามที่พบบ่อย (FAQ)

    คำถามเกี่ยวกับกระบวนการทั่วไป

    Q1: ระบบ Fabsil สามารถรองรับความหนาของเวเฟอร์สูงสุดได้เท่าไร?

    เอ: ซีรี่ส์ Fabsil รองรับความหนาของเวเฟอร์ SiC ตั้งแต่ 50 ไมโครเมตร ถึง 500 ไมโครเมตรสามารถใช้ได้กับเวเฟอร์ขนาด 4 นิ้ว 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว


    Q2: ระบบ Fabsil จำเป็นต้องทำความสะอาดด้วยสารเคมีหลังการหั่นหรือไม่?

    เอ: เลขที่ กระบวนการตัดแบบแห้งต้องใช้ ไม่มีสารเคลือบป้องกัน ไม่มีการทำความสะอาด และไม่มีการลอกฟิล์มออกวิธีนี้ช่วยลดของเสียจากสารเคมีและลดต้นทุนในการเป็นเจ้าของ


    Q3: ระบบนี้สามารถตัดแผ่นเวเฟอร์ SiC ที่มีแผ่นโลหะด้านหลังได้หรือไม่?

    เอ: ใช่. ระบบนี้สามารถรองรับแผ่นเวเฟอร์ SiC ที่มีความหนาของโลหะด้านหลังได้ ≤5 ไมโครเมตรจะได้ผลลัพธ์ที่ดีที่สุดเมื่อไม่มีโลหะอยู่ในบริเวณที่ใช้ลูกเต๋า


    คำถามที่ 4: ในกระบวนการผลิตของคุณ ฟิล์มสีน้ำเงินและฟิล์ม PET แตกต่างกันอย่างไร?

    เอ: ภาพยนตร์สีน้ำเงิน ใช้สำหรับติดตั้งแผ่นเวเฟอร์เบื้องต้นก่อนการตัดด้วยเลเซอร์ ฟิล์ม PET หลังจากตัดด้วยเลเซอร์แล้ว จะทำการเคลือบผิวเพื่อป้องกันเมล็ดธัญพืชที่หั่นเป็นชิ้นเล็กๆ ระหว่างการขนส่ง และเพื่อให้มีความแข็งแรงเพียงพอสำหรับการหั่นแบบสามจุดที่สะอาดหมดจด


    คำถามทางเทคนิคและประสิทธิภาพ

    Q5: ระบบ FDC (Focus Depth Control) ทำงานอย่างไร?

    เอ: ระบบ FDC ที่พัฒนาขึ้นเองนี้จะปรับความลึกของการตัดด้วยเลเซอร์ แบบเรียลไทม์ชดเชยความแปรผันของความหนาของเวเฟอร์ได้สูงสุดถึง ±15 ไมโครเมตร ด้วยความแม่นยำในการควบคุมโฟกัสที่ ≤ ±5 μmวิธีนี้ช่วยให้รอยแตกก่อนการแตกยังคงอยู่ตรงกลางอย่างสมบูรณ์แบบแม้บนแผ่นเวเฟอร์ที่บิดเบี้ยว


    Q6: หลักการแตกหักจากการสัมผัสสามจุดคืออะไร?

    เอ: หลังจากการตัดด้วยเลเซอร์ทำให้เกิดรอยแตกขนาดเล็กภายในแล้ว จะมีการวางจุดรองรับสองจุดไว้ใต้แผ่นเวเฟอร์ ใบมีดตัด (ตัวตี) จะสัมผัสกับจุดกึ่งกลางระหว่างจุดรองรับทั้งสอง ทำให้เม็ดวัสดุแยกออกจากกัน ตามแนวเส้นที่สลักด้วยเลเซอร์อย่างสมบูรณ์ โดยไม่ต้องใช้แรงหรือความเสียหายเพิ่มเติม


    Q7: ข้อกำหนดด้านการสั่นสะเทือนสำหรับการติดตั้งมีอะไรบ้าง?

    เอ: อุปกรณ์ดังกล่าวจำเป็นต้องมีการสั่นสะเทือนของพื้น แอมพลิจูด  และ ความเร่งการสั่นสะเทือน หลีกเลี่ยงสถานที่ที่มีการสั่นสะเทือน แรงกระแทก หรืออยู่ใกล้แหล่งความร้อนความถี่สูง


    Q8: ระบบนี้รองรับมาตรฐานระบบอัตโนมัติในโรงงานหรือไม่?

    เอ: ใช่. ซีรีส์ Fabsil-WB มีคุณสมบัติมาตรฐาน อินเทอร์เฟซ SECS/GEMซึ่งช่วยให้สามารถผสานรวมเข้ากับโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์อัตโนมัติได้อย่างราบรื่น พร้อมด้วยการรายงานข้อมูลการผลิต การติดตามการใช้งานอุปกรณ์ และความสามารถในการตรวจสอบจากระยะไกล


    ยังมีคำถามเพิ่มเติมไหม?

    ทีมวิศวกรของเราพร้อมให้ความช่วยเหลือ ติดต่อเราได้สำหรับ:

    • ให้คำปรึกษาเกี่ยวกับกระบวนการผลิตสำหรับเวเฟอร์ SiC ตามข้อกำหนดเฉพาะของคุณ

    • การสาธิต ณ สถานที่จริง หรือแบบเสมือนจริง

    • คำขอปรับแต่งสำหรับวัสดุหรือความหนาพิเศษ

    📧 อีเมล: seaman@himalayasemi.com
    📞 โทรศัพท์: +86-159-9582-2759


    สรุป: เหตุใดโซลูชันของ Himalaya Semi จึงเป็นผู้นำในอุตสาหกรรม

    ความต้องการ หิมาลัยเซมิโซลูชัน
    บิ่นน้อยและไม่แตกง่าย การสร้างรอยแตกก่อนด้วยเลเซอร์นำทาง + การแตกหักแบบสัมผัสสามจุด
    ไม่มีการปนเปื้อน การตัดแบบแห้ง – ไม่ใช้สารเคมี ไม่ต้องทำความสะอาด
    จัดการกับเวเฟอร์ที่บิดเบี้ยว ระบบ FDC พร้อมการปรับความลึกแบบเรียลไทม์ (ความคลาดเคลื่อน ±15 ไมโครเมตร)
    อัตราการประมวลผลสูง ความเร็วในการตัด 1000 มม./วินาที; ระบบเปลี่ยนตลับอัตโนมัติเต็มรูปแบบ
    พร้อมใช้งานขนาด 8 นิ้ว เครื่อง Fabsil-WB31E รองรับเวเฟอร์ขนาด 8 นิ้ว โดยมีระยะการเคลื่อนที่แกน X 340 มม.
    ความแม่นยำที่ขับเคลื่อนด้วย AI การปรับแนวภาพให้แม่นยำ ±0.5 ไมโครเมตร; ลดจำนวนสัญญาณเตือนลง 90%
    เป็นไปตามมาตรฐาน SECS/GEM พร้อมสำหรับการทำงานอัตโนมัติในโรงงานและการบูรณาการข้อมูล
    โหมดการหั่นที่ยืดหยุ่น การทอยลูกเต๋าแบบเรียงลำดับ แบบย้อนกลับ แบบข้าม และแบบแบ่งเป็นสี่ส่วน
    ความสม่ำเสมอของกระบวนการ ระบบปรับความลึกและตำแหน่งใบมีดอัตโนมัติ

    บทสรุป

    เนื่องจากแผ่นเวเฟอร์ SiC กำลังเปลี่ยนจากขนาด 4 นิ้วและ 6 นิ้วไปเป็นขนาดที่เล็กลง เส้นผ่านศูนย์กลาง 8 นิ้วอุตสาหกรรมนี้ต้องการโซลูชันการตัดที่ผสานความแม่นยำของเลเซอร์เข้ากับความน่าเชื่อถือทางกลไก Himalaya Semi's คือคำตอบ ซีรีส์ Fabsil-LD (การตัดด้วยเลเซอร์) และ ซีรีส์ Fabsil-WB (การตัดเวเฟอร์) นำเสนอขั้นตอนการผลิตที่สมบูรณ์แบบ ปราศจากสารเคมี และให้ผลผลิตสูง ตั้งแต่การติดตั้งเวเฟอร์และการเคลือบ PET ไปจนถึงการดีดชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสุดท้าย

    โดยการบูรณาการ การควบคุมโฟกัส FDC แบบเรียลไทม์, การจัดแนววิสัยทัศน์ที่ขับเคลื่อนด้วย AIและ หลักการแตกหักจากการสัมผัสสามจุดเรามั่นใจว่าความแข็งและความเปราะของ SiC จะไม่เป็นปัจจัยกำหนดผลผลิตของคุณอีกต่อไป


    📄 ดาวน์โหลดเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์ Fabsil Series

    รับเอกสารทางเทคนิคฉบับสมบูรณ์ ซึ่งรวมถึง:

    • ภาพวาดสามมิติเต็มรูปแบบ

    • ข้อกำหนดการติดตั้งโดยละเอียด

    • ข้อกำหนดทางไฟฟ้าและสิ่งอำนวยความสะดวก

    • ข้อมูลการตรวจสอบความถูกต้องของกระบวนการ


    📞 ขอใบเสนอราคาหรือคำปรึกษา

    พร้อมที่จะเพิ่มผลผลิตจากการตัด SiC แล้วหรือยัง?

    ตัวเลือก ข้อมูลการติดต่อ
    อีเมล seaman@himalayasemi.com
    โทรศัพท์ +86 (159) 95822759
    เว็บ www.himalayasemi.com/contact
    แบบฟอร์มคำขอ www.himalayasemi.com/quote

    หรือกรอกแบบฟอร์มสั้นๆ นี้:

    สนาม คำตอบของคุณ
    ชื่อ _______________
    บริษัท _______________
    ขนาดเวเฟอร์ (4"/6"/8") _______________
    ความหนาของแผ่นเวเฟอร์ (ไมโครเมตร) _______________
    ด้านหลังเป็นโลหะหรือไม่? (ใช่/ไม่ใช่) _______________
    ปริมาณการขายต่อปีโดยประมาณ _______________
    ช่วงเวลาที่สะดวกที่สุดในการติดต่อ _______________

    ทีมงานของเราจะตอบกลับภายใน 2 วันทำการ


    เกี่ยวกับผู้เขียน

    ดร. เจียน หลี่ เป็นวิศวกรกระบวนการอาวุโสที่ Himalaya Semi เชี่ยวชาญด้านการตัดเฉือนขนาดเล็ก ด้วยประสบการณ์ 15 ปีและสิทธิบัตรสำคัญในระบบควบคุมการตัด (รวมถึงระบบควบคุมของเลื่อยตัด DS9260) เขาเป็นผู้นำในการพัฒนาโซลูชันการตัดเฉือนขั้นสูงสำหรับเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม


    ข้อมูลการติดต่อ

    สำนักงานใหญ่และศูนย์วิจัยและพัฒนา
    ห้อง 4234 อาคาร 11 เลขที่ 1258 ถนนจินเฟิงใต้
    เมือง Mudu เขต Wuzhong เมืองซูโจว มณฑลเจียงซู ประเทศจีน

    สำนักงานขาย
    เลขที่ 58 ถนน Keji 3 โซนไฮเทค เขตหยานต้า ซีอาน จีน

    บริษัท เจียงซู หิมาลัย เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด


    ภาคผนวก: ตารางข้อมูลจำเพาะฉบับย่อ

    พารามิเตอร์ Fabsil-LD31E (เลเซอร์) Fabsil-WB31E (ตัด)
    ขนาดเวเฟอร์ 4", 6", 8" 4", 6", 8"
    ช่วงความหนา 50–500 ไมโครเมตร 50–500 ไมโครเมตร
    ความแม่นยำที่สำคัญ โฟกัส ≤ ±5 μm ตำแหน่ง ±0.002 มม.
    ความเร็วสูงสุด 1000 มม./วินาที 120 มม./วินาที
    ความแม่นยำในการมองเห็น ±0.5 ไมโครเมตร 0.1 มม. (ตามรูปทรง)
    วิธีการตัด/ผ่า เลเซอร์พิโควินาที (GW/cm²) การติดต่อสามจุด
    ระบบอัตโนมัติ คลิกเดียว + SECS/GEM คลิกเดียว + SECS/GEM
    ชั้นเรียนสิ่งแวดล้อม คลาส 1000+ คลาส 1000+