คู่มือฉบับสมบูรณ์สำหรับการตัดแผ่นเวเฟอร์ SiC: การตัดด้วยเลเซอร์และการแยกแผ่นเวเฟอร์แบบสามจุดสัมผัส สำหรับ SiC 4H, SiC 6H และเวเฟอร์ขนาด 8 นิ้ว
ขั้นตอนการทำงานโดยละเอียดของการตัด SiC
โซลูชันของเราใช้ ลำดับหกขั้นตอน ซึ่งเป็นการผสานรวมการตัดด้วยเลเซอร์เข้ากับการตัดด้วยกลไก รวมถึงขั้นตอนการจัดการเพิ่มเติมเพื่อการทำงานอัตโนมัติอย่างเต็มรูปแบบ
หมายเหตุเกี่ยวกับการคัดเลือกภาพยนตร์
ภาพยนตร์สีน้ำเงิน ใช้สำหรับการยึดแผ่นเวเฟอร์ (ขั้นตอนที่ 1) เพื่อยึดแผ่นเวเฟอร์ SiC ให้แน่นระหว่างการตัดด้วยเลเซอร์ หลังจากการประมวลผลด้วยเลเซอร์แล้ว ฟิล์ม PET มีการเคลือบ (ขั้นตอนที่ 3) เพื่อป้องกันเมล็ดธัญพืชที่หั่นเป็นชิ้นเล็กๆ ระหว่างการขนส่งและการบด ฟิล์ม PET มีความแข็งแรงสูงกว่าฟิล์มสีฟ้า ทำให้มั่นใจได้ว่าเมล็ดธัญพืชจะแยกออกจากกันอย่างสะอาดหมดจดในระหว่างกระบวนการบดแบบสัมผัสสามจุด
ตารางขั้นตอนการทำงาน
| ขั้นตอน | กระบวนการ | อุปกรณ์ / ส่วนประกอบ | ฟังก์ชันหลัก |
|---|---|---|---|
| 1 | การติดตั้งเวเฟอร์ SiC | ฟิล์มสีน้ำเงิน + การเคลือบโลหะด้านหลัง | ยึดแผ่นเวเฟอร์ให้แน่นก่อนการประมวลผลด้วยเลเซอร์ |
| 2 | การตัดด้วยเลเซอร์นำทาง | แฟบซิล-LD31S / แฟบซิล-LD31E | สร้างรอยแตกก่อนภายในโดยใช้เลเซอร์พิโควินาที |
| 3 | การเคลือบฟิล์ม PET | โมดูลการเคลือบฟิล์ม PET | ช่วยปกป้องเมล็ดธัญพืชที่หั่นเป็นลูกเต๋า และเพิ่มความแข็งแรงในการหั่น |
| 4 | การหั่นเวเฟอร์ด้านหลัง | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส / แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี | การตัดแยกแบบสัมผัสสามจุดจากด้านหลัง |
| 5 | การหั่นเวเฟอร์ด้านหน้า | โมดูลพลิกแบบรวม | การผ่าแยกอย่างแม่นยำจากด้านหน้า (หลังจากการพลิกอัตโนมัติ) |
| 6 | การดีดแม่พิมพ์ด้วยการขยายฟิล์ม | โมดูลจับยึดแผ่นเวเฟอร์ | การแยกและหยิบชิปขั้นสุดท้าย |
เจาะลึกเทคโนโลยี: การตัดด้วยเลเซอร์ (Fabsil-LD Series)
เดอะ ซีรีส์ Fabsil-LD31S / Fabsil-LD31E ระบบตัดด้วยเลเซอร์เป็นอุปกรณ์แปรรูปที่มีความแม่นยำสูง โดยอาศัยหลักการพื้นฐานจาก... เทคโนโลยีการหั่นด้วยเลเซอร์ออกแบบมาเพื่อใช้ในการตัดแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) รุ่นที่สาม
วิธีการทำงาน
ด้วยการใช้ประโยชน์จากความโปร่งใสของ SiC ต่อความยาวคลื่นเลเซอร์เฉพาะ ทำให้สามารถโฟกัสเลเซอร์ได้ ข้างใน วัสดุนี้ ขั้นสูง เทคโนโลยีการประมวลผล "เย็น" ด้วยเลเซอร์พิโควินาที ทำงานโดยการสร้างความหนาแน่นของพลังงานที่สูงมาก (GW/cm²) ภายในพิโควินาที สิ่งนี้กระตุ้นให้เกิด ผลกระทบการดูดกลืนโฟตอนหลายตัวซึ่งก่อให้เกิดคลื่นกระแทกพลาสมา เมื่อรวมกับการเคลื่อนที่ด้วยความเร็วสูง จะเป็นตัวนำในการก่อตัวของรอยแตกเบื้องต้นเพื่อตัดวัสดุ
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคที่สำคัญ (ซีรี่ส์ Fabsil-LD)
| คุณสมบัติ | ข้อกำหนด |
|---|---|
| FDC (ระบบควบคุมความชัดลึก) | ความแม่นยำในการควบคุมโฟกัส ≤ ±5 μmรองรับความหนาของแผ่นเวเฟอร์ที่แตกต่างกัน ≤ ±15 μm |
| ความเร็วแกนตัด | สูงสุด 1000 มม./วินาที ด้วยการผันผวนของการเคลื่อนไหวความเร็วสูง |
| ความแม่นยำของภาพ AI | ±0.5 ไมโครเมตร สำหรับการระบุตำแหน่งการตัด ช่วยลดอัตราการแจ้งเตือนลงได้ 90% |
| ความเข้ากันได้ของเวเฟอร์ | ความหนา 4 นิ้ว, 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว 50–500 ไมโครเมตร |
| การจัดการโลหะด้านหลัง | ความหนาของโลหะด้านหลังด้ามจับ ≤5 ไมโครเมตร (เหมาะสมที่สุด: ไม่มีโลหะในถนนที่ใช้เล่นเกมลูกเต๋า) |
| วิธีการตัด | การตัดแบบแห้ง – ไม่ต้องใช้สารเคลือบป้องกัน ไม่ต้องทำความสะอาด ไม่ต้องลอกฟิล์มออก |
| โหมดการหั่นลูกเต๋า | รองรับการทอยลูกเต๋าทั้งด้านหน้าและด้านหลังด้วย กลไกการพลิกแบบบูรณาการ |
ระบบอัตโนมัติที่ขับเคลื่อนด้วย AI
ผลิตภัณฑ์นี้ได้รับการพัฒนาบนแพลตฟอร์มเทคโนโลยี AI และวิชั่นของ Himalaya Semi โดยประกอบด้วย:
-
การจดจำเส้นขอบอัตโนมัติ
-
การปรับระดับอัตโนมัติ
-
การตั้งค่าจุดอ้างอิงอัตโนมัติ
-
การปรับโฟกัสอัตโนมัติ
-
เริ่มต้นใช้งานด้วยการคลิกเพียงครั้งเดียว พร้อมระบบอ่านบาร์โค้ดอัตโนมัติและการโหลดสูตรอาหาร
-
สถิติข้อมูลการผลิต การติดตามการใช้งานอุปกรณ์ และความสามารถในการอัปโหลดข้อมูล
เจาะลึกเทคโนโลยี: การตัดเวเฟอร์ (Fabsil-WB Series)
เดอะ ระบบตัดเวเฟอร์ Fabsil-WB32S / Fabsil-WB31E ซีรีส์ ผสานรวมกระบวนการตัดแผ่นเวเฟอร์ขั้นสูงและเทคโนโลยีควบคุมการเคลื่อนที่ความแม่นยำสูง ระบบเหล่านี้ช่วยให้การโหลด/ขนถ่ายแผ่นเวเฟอร์ การแก้ไขการจัดแนวภาพอัตโนมัติ การตัดและปรับแต่งอัตโนมัติ และการรายงานข้อมูลการผลิตเป็นไปโดยอัตโนมัติอย่างสมบูรณ์
หลักการแตกหักจากการสัมผัสสามจุด
หลังจากการตัดด้วยเลเซอร์ รอยแตกขนาดเล็กได้เกิดขึ้นทั้งบนด้านล่างและพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ แต่เม็ดเกรนแต่ละเม็ดยังไม่แยกออกจากกันโดยสมบูรณ์ กระบวนการตัดแบ่งนี้อาศัยหลักการของ... การแตกหักจากการสัมผัสสามจุด:
-
จุดรองรับสองจุด วางอยู่ใต้แผ่นเวเฟอร์
-
เอ ใบมีดหั่นลูกเต๋า (ตัวตี) จะถูกลดระดับลงเพื่อสัมผัสกับตำแหน่งการตัดจริงของแผ่นเวเฟอร์ ณ จุดกึ่งกลางระหว่างแท่นรองรับทั้งสองนี้
-
สิ่งนี้ทำให้เมล็ดพืชแยกออกจากกัน ตลอดแนวเส้นทางการตัดด้วยเลเซอร์อย่างสมบูรณ์
การหั่นแบบหน้า-หลัง
| กระบวนการ | คำอธิบาย | เหมาะสำหรับ |
|---|---|---|
| การหั่นลูกเต๋าด้านหลัง | รวดเร็วและมีประสิทธิภาพ; ใบมีดสัมผัสจากด้านหลัง | แผ่นเวเฟอร์ SiC มาตรฐานที่ไม่มีความไวต่อด้านบน |
| การหั่นด้านหน้า | การประมวลผลที่แม่นยำจากพื้นผิวด้านบน | วัสดุทึบแสงหรือการใช้งานที่ไม่ต้องใช้แรงกดเหนือพื้นผิว |
| พลิกอัตโนมัติ | หลังจากหั่นด้านหลังเสร็จแล้ว กลไกพลิกในตัวจะพลิกแผ่นเวเฟอร์เพื่อหั่นด้านหน้าต่อ | แผ่นเวเฟอร์ที่ต้องผ่านกระบวนการทั้งสองด้าน |
คุณสมบัติหลัก (ซีรีส์ Fabsil-WB)
| คุณสมบัติ | ความสามารถ |
|---|---|
| ความเข้ากันได้ที่แข็งแกร่ง | รองรับเวเฟอร์ขนาด 4", 6", 8"; มาตรฐาน ซีซีเอส/จีเอ็ม อินเทอร์เฟซ |
| การผลิตด้วยการคลิกเพียงครั้งเดียว | การโหลด/ขนถ่ายตลับเทป การสแกนบาร์โค้ดอัตโนมัติ การจัดการเวเฟอร์แบบเต็มแผ่นและแบบแตกละเอียดอย่างเหมาะสม การปรับระดับอัตโนมัติ |
| ความสม่ำเสมอของกระบวนการ | การแก้ไขตำแหน่งการหั่นลูกเต๋าอัตโนมัติ และ การชดเชยความลึกของใบมีด |
| โหมดการหั่นลูกเต๋าอเนกประสงค์ | การทอยลูกเต๋าแบบเรียงลำดับ, การทอยลูกเต๋าแบบย้อนกลับ, การทอยลูกเต๋าแบบข้าม, การทอยลูกเต๋าแบบแบ่งเป็นสี่ส่วน |
| วิสัยทัศน์ความแม่นยำสูง | การจดจำภาพโดยใช้ AI เพื่อการระบุตัวตนที่ถูกต้องแม่นยำในผลิตภัณฑ์ที่หลากหลาย ป้องกันการระบุผิดพลาด |
ข้อมูลจำเพาะที่สำคัญทั้งหมด: Fabsil-WB32S เทียบกับ Fabsil-WB31E
ข้อกำหนดทั่วไปและข้อกำหนดกระบวนการ
| ข้อกำหนด | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี |
|---|---|---|
| เส้นผ่านศูนย์กลางที่สามารถประมวลผลได้ | 4 นิ้ว, 6 นิ้ว | 4 นิ้ว, 6 นิ้ว, 8 นิ้ว |
| เทคโนโลยีการผลิต | การตัดเฉือนแบบสัมผัสสามจุด รองรับการตัดเฉือนด้านหน้าและด้านหลังสำหรับวัสดุทึบแสง | เดียวกัน |
| วัสดุที่เกี่ยวข้อง | ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) | ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) |
ข้อมูลจำเพาะของแกนการเคลื่อนที่
| แกน | พารามิเตอร์ | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี |
|---|---|---|---|
| แกน Y | การท่องเที่ยว | 158 มม. | 215 มม. |
| ความเร็วสูงสุด | 120 มม./วินาที | 120 มม./วินาที | |
| ความตรง | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| ความสามารถในการทำซ้ำ | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| แกน X ด้านบน | การท่องเที่ยว | 265 มม. | 340 มม. |
| ความเร็วสูงสุด | 120 มม./วินาที | 120 มม./วินาที | |
| ความตรง | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| ความสามารถในการทำซ้ำ | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| แกน X ล่าง | การท่องเที่ยว | 158 มม. | 215 มม. |
| ความเร็วสูงสุด | 120 มม./วินาที | 120 มม./วินาที | |
| ความตรง | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| ความสามารถในการทำซ้ำ | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| แกน Z | การท่องเที่ยว | 60 มม. | 60 มม. |
| ความเร็วสูงสุด | 50 มม./วินาที | 50 มม./วินาที | |
| ความตรง | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| ความสามารถในการทำซ้ำ | ±0.002 มม. | ±0.002 มม. | |
| แกน R | มุมการหมุน | 120° | 120° |
| ความสามารถในการทำซ้ำ | ±5 อาร์คเซค | ±5 อาร์คเซค | |
| ความเร็วรอบ | 90°/วินาที | 90°/วินาที |
ข้อกำหนดทางกลและส่วนประกอบ
| ส่วนประกอบ | พารามิเตอร์ | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี |
|---|---|---|---|
| การกำหนดตำแหน่งเส้นขอบ | วิธี | การจัดตำแหน่งเส้นขอบแสงด้านหลัง | เดียวกัน |
| ความแม่นยำ | 0.1 มม. | 0.1 มม. | |
| ใบมีดหั่นลูกเต๋า | วัสดุ | เหล็กกล้า SK, HRC65 | เหล็กกล้า SK, HRC65 |
| ความยาว | 165 มม. | 210 มม. | |
| ขั้นตอนการสนับสนุน | วัสดุ | SKD11, HRC58 | SKD11, HRC58 |
| ความยาว | 165 มม. | 210 มม. | |
| สไตรเกอร์ | พิมพ์ | ตัวตีอิเล็กทรอนิกส์ที่มีแรงกระแทกที่ควบคุมได้ | เดียวกัน |
| ระบบกล้อง | มุมกว้าง | 5 MP (1 หน่วย) | 5 MP (1 หน่วย) |
| การแก้ไขมุม | 1.6 MP (2 หน่วย) | 1.6 MP (2 หน่วย) | |
| คอมพิวเตอร์อุตสาหกรรม | คุณ | ระบบปฏิบัติการ Windows 10, 64 บิต | เดียวกัน |
| แรม | 16 GB | เดียวกัน | |
| พื้นที่จัดเก็บ | ฮาร์ดดิสก์ 1 เทราไบต์ | เดียวกัน |
ข้อกำหนดด้านสถานที่และสิ่งแวดล้อม
| พารามิเตอร์ | ข้อมูลจำเพาะ (ทั้งสองรุ่น) |
|---|---|
| แหล่งจ่ายไฟ | ระบบไฟฟ้าเฟสเดียว 220 V / 50 Hz / 10 A; ความผันผวนของแรงดันไฟฟ้า |
| แรงดันอากาศอัด | 0.6–0.8 MPa |
| การไหลของอากาศอัด | ≥80 ลิตร/นาที |
| อุณหภูมิแวดล้อม | 22 ± 2 องศาเซลเซียส |
| ความชื้นสัมพัทธ์ | 40%–60% |
| ความสะอาด | ชั้น 1000 หรือสูงกว่า |
| การสั่นสะเทือนของพื้น | แอมพลิจูด |
ขนาดและน้ำหนัก
| พารามิเตอร์ | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี32เอส | แฟบซิล-ดับเบิลยูบี31อี |
|---|---|---|
| ขนาด (กว้าง×ลึก×สูง) | 1400 × 975 × 2100 มม. | 1500 × 1120 × 2100 มม. |
| น้ำหนักสุทธิ | ประมาณ 0.9 ตัน | ประมาณ 1 ตัน |
สถานที่ติดตั้งที่ต้องห้าม
อุปกรณ์ต้อง ไม่ ควรจัดวางไว้ในพื้นที่ที่มีลักษณะดังต่อไปนี้:
| หมวดหมู่ | ข้อห้ามเฉพาะเจาะจง |
|---|---|
| อันตรายจากสารเคมี | สถานที่ที่สามารถเข้าถึงสารเคมี วัตถุไวไฟ หรือวัตถุระเบิดได้ |
| การรบกวนทางไฟฟ้า | พื้นที่ใกล้แหล่งความร้อนความถี่สูง |
| ความไม่เสถียรทางความร้อน | สถานที่ที่มีการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิแวดล้อมอย่างรวดเร็ว |
| สารปนเปื้อนในอากาศ | พื้นที่ที่มีความเข้มข้นสูงของ CO₂, NOₓ หรือ SOₓ |
ขั้นตอนการจัดวางและประมวลผล (Fabsil-WB Series)
ลำดับขั้นตอนการทำงานอัตโนมัติ
การโหลดตลับ → การขนส่งทางราง → การอ่านบาร์โค้ด → การสกัดรูปทรง → การโหลดแท่นวาง → การตั้งจุดอ้างอิง → การสอบเทียบระดับ → การตัดเวเฟอร์ → การขนถ่ายเสร็จสมบูรณ์
โมดูลระบบ
| โมดูล | การทำงาน |
|---|---|
| 1. โมดูลตรวจจับภาพด้านหน้าสำหรับการหั่นลูกเต๋า | การจัดแนวที่แม่นยำสำหรับการหั่นลูกเต๋าด้านหน้า |
| 2. โมดูลหั่นและแบ่ง | กลไกการตัดแบบสัมผัสสามจุด |
| 3. โมดูลจับยึดแผ่นเวเฟอร์ | ด้ามจับสำหรับหั่นเวเฟอร์เป็นชิ้นสี่เหลี่ยมลูกเต๋า |
| 4. โมดูลกำหนดตำแหน่งมุมกว้าง | การตรวจจับขอบเวเฟอร์เบื้องต้น |
| 5. ขั้นตอนการประมวลผล | แพลตฟอร์มการตัดเฉือนความแม่นยำสูง |
| 6. โมดูลการโหลด/ขนถ่าย | การจัดการอัตโนมัติแบบใช้ตลับเทป |
โมดูลสนับสนุนเพิ่มเติม:
-
โมดูลแก้ไขระดับ
-
ระบบออปติคอลความแม่นยำสูง
-
โมดูลโคแอกเซียล / โมดูลเปลี่ยนวัสดุ
-
โมดูล FDC
-
โมดูลป้องกันการตก
-
มอเตอร์เชิงเส้นความแม่นยำสูง X/Y
คำถามที่พบบ่อย (FAQ)
คำถามเกี่ยวกับกระบวนการทั่วไป
Q1: ระบบ Fabsil สามารถรองรับความหนาของเวเฟอร์สูงสุดได้เท่าไร?
เอ: ซีรี่ส์ Fabsil รองรับความหนาของเวเฟอร์ SiC ตั้งแต่ 50 ไมโครเมตร ถึง 500 ไมโครเมตรสามารถใช้ได้กับเวเฟอร์ขนาด 4 นิ้ว 6 นิ้ว และ 8 นิ้ว
Q2: ระบบ Fabsil จำเป็นต้องทำความสะอาดด้วยสารเคมีหลังการหั่นหรือไม่?
เอ: เลขที่ กระบวนการตัดแบบแห้งต้องใช้ ไม่มีสารเคลือบป้องกัน ไม่มีการทำความสะอาด และไม่มีการลอกฟิล์มออกวิธีนี้ช่วยลดของเสียจากสารเคมีและลดต้นทุนในการเป็นเจ้าของ
Q3: ระบบนี้สามารถตัดแผ่นเวเฟอร์ SiC ที่มีแผ่นโลหะด้านหลังได้หรือไม่?
เอ: ใช่. ระบบนี้สามารถรองรับแผ่นเวเฟอร์ SiC ที่มีความหนาของโลหะด้านหลังได้ ≤5 ไมโครเมตรจะได้ผลลัพธ์ที่ดีที่สุดเมื่อไม่มีโลหะอยู่ในบริเวณที่ใช้ลูกเต๋า
คำถามที่ 4: ในกระบวนการผลิตของคุณ ฟิล์มสีน้ำเงินและฟิล์ม PET แตกต่างกันอย่างไร?
เอ: ภาพยนตร์สีน้ำเงิน ใช้สำหรับติดตั้งแผ่นเวเฟอร์เบื้องต้นก่อนการตัดด้วยเลเซอร์ ฟิล์ม PET หลังจากตัดด้วยเลเซอร์แล้ว จะทำการเคลือบผิวเพื่อป้องกันเมล็ดธัญพืชที่หั่นเป็นชิ้นเล็กๆ ระหว่างการขนส่ง และเพื่อให้มีความแข็งแรงเพียงพอสำหรับการหั่นแบบสามจุดที่สะอาดหมดจด
คำถามทางเทคนิคและประสิทธิภาพ
Q5: ระบบ FDC (Focus Depth Control) ทำงานอย่างไร?
เอ: ระบบ FDC ที่พัฒนาขึ้นเองนี้จะปรับความลึกของการตัดด้วยเลเซอร์ แบบเรียลไทม์ชดเชยความแปรผันของความหนาของเวเฟอร์ได้สูงสุดถึง ±15 ไมโครเมตร ด้วยความแม่นยำในการควบคุมโฟกัสที่ ≤ ±5 μmวิธีนี้ช่วยให้รอยแตกก่อนการแตกยังคงอยู่ตรงกลางอย่างสมบูรณ์แบบแม้บนแผ่นเวเฟอร์ที่บิดเบี้ยว
Q6: หลักการแตกหักจากการสัมผัสสามจุดคืออะไร?
เอ: หลังจากการตัดด้วยเลเซอร์ทำให้เกิดรอยแตกขนาดเล็กภายในแล้ว จะมีการวางจุดรองรับสองจุดไว้ใต้แผ่นเวเฟอร์ ใบมีดตัด (ตัวตี) จะสัมผัสกับจุดกึ่งกลางระหว่างจุดรองรับทั้งสอง ทำให้เม็ดวัสดุแยกออกจากกัน ตามแนวเส้นที่สลักด้วยเลเซอร์อย่างสมบูรณ์ โดยไม่ต้องใช้แรงหรือความเสียหายเพิ่มเติม
Q7: ข้อกำหนดด้านการสั่นสะเทือนสำหรับการติดตั้งมีอะไรบ้าง?
เอ: อุปกรณ์ดังกล่าวจำเป็นต้องมีการสั่นสะเทือนของพื้น แอมพลิจูด และ ความเร่งการสั่นสะเทือน หลีกเลี่ยงสถานที่ที่มีการสั่นสะเทือน แรงกระแทก หรืออยู่ใกล้แหล่งความร้อนความถี่สูง
Q8: ระบบนี้รองรับมาตรฐานระบบอัตโนมัติในโรงงานหรือไม่?
เอ: ใช่. ซีรีส์ Fabsil-WB มีคุณสมบัติมาตรฐาน อินเทอร์เฟซ SECS/GEMซึ่งช่วยให้สามารถผสานรวมเข้ากับโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์อัตโนมัติได้อย่างราบรื่น พร้อมด้วยการรายงานข้อมูลการผลิต การติดตามการใช้งานอุปกรณ์ และความสามารถในการตรวจสอบจากระยะไกล
ยังมีคำถามเพิ่มเติมไหม?
ทีมวิศวกรของเราพร้อมให้ความช่วยเหลือ ติดต่อเราได้สำหรับ:
-
ให้คำปรึกษาเกี่ยวกับกระบวนการผลิตสำหรับเวเฟอร์ SiC ตามข้อกำหนดเฉพาะของคุณ
-
การสาธิต ณ สถานที่จริง หรือแบบเสมือนจริง
-
คำขอปรับแต่งสำหรับวัสดุหรือความหนาพิเศษ
📧 อีเมล: seaman@himalayasemi.com
📞 โทรศัพท์: +86-159-9582-2759
สรุป: เหตุใดโซลูชันของ Himalaya Semi จึงเป็นผู้นำในอุตสาหกรรม
| ความต้องการ | หิมาลัยเซมิโซลูชัน |
|---|---|
| บิ่นน้อยและไม่แตกง่าย | การสร้างรอยแตกก่อนด้วยเลเซอร์นำทาง + การแตกหักแบบสัมผัสสามจุด |
| ไม่มีการปนเปื้อน | การตัดแบบแห้ง – ไม่ใช้สารเคมี ไม่ต้องทำความสะอาด |
| จัดการกับเวเฟอร์ที่บิดเบี้ยว | ระบบ FDC พร้อมการปรับความลึกแบบเรียลไทม์ (ความคลาดเคลื่อน ±15 ไมโครเมตร) |
| อัตราการประมวลผลสูง | ความเร็วในการตัด 1000 มม./วินาที; ระบบเปลี่ยนตลับอัตโนมัติเต็มรูปแบบ |
| พร้อมใช้งานขนาด 8 นิ้ว | เครื่อง Fabsil-WB31E รองรับเวเฟอร์ขนาด 8 นิ้ว โดยมีระยะการเคลื่อนที่แกน X 340 มม. |
| ความแม่นยำที่ขับเคลื่อนด้วย AI | การปรับแนวภาพให้แม่นยำ ±0.5 ไมโครเมตร; ลดจำนวนสัญญาณเตือนลง 90% |
| เป็นไปตามมาตรฐาน SECS/GEM | พร้อมสำหรับการทำงานอัตโนมัติในโรงงานและการบูรณาการข้อมูล |
| โหมดการหั่นที่ยืดหยุ่น | การทอยลูกเต๋าแบบเรียงลำดับ แบบย้อนกลับ แบบข้าม และแบบแบ่งเป็นสี่ส่วน |
| ความสม่ำเสมอของกระบวนการ | ระบบปรับความลึกและตำแหน่งใบมีดอัตโนมัติ |
บทสรุป
เนื่องจากแผ่นเวเฟอร์ SiC กำลังเปลี่ยนจากขนาด 4 นิ้วและ 6 นิ้วไปเป็นขนาดที่เล็กลง เส้นผ่านศูนย์กลาง 8 นิ้วอุตสาหกรรมนี้ต้องการโซลูชันการตัดที่ผสานความแม่นยำของเลเซอร์เข้ากับความน่าเชื่อถือทางกลไก Himalaya Semi's คือคำตอบ ซีรีส์ Fabsil-LD (การตัดด้วยเลเซอร์) และ ซีรีส์ Fabsil-WB (การตัดเวเฟอร์) นำเสนอขั้นตอนการผลิตที่สมบูรณ์แบบ ปราศจากสารเคมี และให้ผลผลิตสูง ตั้งแต่การติดตั้งเวเฟอร์และการเคลือบ PET ไปจนถึงการดีดชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสุดท้าย
โดยการบูรณาการ การควบคุมโฟกัส FDC แบบเรียลไทม์, การจัดแนววิสัยทัศน์ที่ขับเคลื่อนด้วย AIและ หลักการแตกหักจากการสัมผัสสามจุดเรามั่นใจว่าความแข็งและความเปราะของ SiC จะไม่เป็นปัจจัยกำหนดผลผลิตของคุณอีกต่อไป
📄 ดาวน์โหลดเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์ Fabsil Series
รับเอกสารทางเทคนิคฉบับสมบูรณ์ ซึ่งรวมถึง:
-
ภาพวาดสามมิติเต็มรูปแบบ
-
ข้อกำหนดการติดตั้งโดยละเอียด
-
ข้อกำหนดทางไฟฟ้าและสิ่งอำนวยความสะดวก
-
ข้อมูลการตรวจสอบความถูกต้องของกระบวนการ
📞 ขอใบเสนอราคาหรือคำปรึกษา
พร้อมที่จะเพิ่มผลผลิตจากการตัด SiC แล้วหรือยัง?
| ตัวเลือก | ข้อมูลการติดต่อ |
|---|---|
| อีเมล | seaman@himalayasemi.com |
| โทรศัพท์ | +86 (159) 95822759 |
| เว็บ | www.himalayasemi.com/contact |
| แบบฟอร์มคำขอ | www.himalayasemi.com/quote |
หรือกรอกแบบฟอร์มสั้นๆ นี้:
| สนาม | คำตอบของคุณ |
|---|---|
| ชื่อ | _______________ |
| บริษัท | _______________ |
| ขนาดเวเฟอร์ (4"/6"/8") | _______________ |
| ความหนาของแผ่นเวเฟอร์ (ไมโครเมตร) | _______________ |
| ด้านหลังเป็นโลหะหรือไม่? (ใช่/ไม่ใช่) | _______________ |
| ปริมาณการขายต่อปีโดยประมาณ | _______________ |
| ช่วงเวลาที่สะดวกที่สุดในการติดต่อ | _______________ |
ทีมงานของเราจะตอบกลับภายใน 2 วันทำการ
เกี่ยวกับผู้เขียน
ดร. เจียน หลี่ เป็นวิศวกรกระบวนการอาวุโสที่ Himalaya Semi เชี่ยวชาญด้านการตัดเฉือนขนาดเล็ก ด้วยประสบการณ์ 15 ปีและสิทธิบัตรสำคัญในระบบควบคุมการตัด (รวมถึงระบบควบคุมของเลื่อยตัด DS9260) เขาเป็นผู้นำในการพัฒนาโซลูชันการตัดเฉือนขั้นสูงสำหรับเซมิคอนดักเตอร์รุ่นที่สาม
ข้อมูลการติดต่อ
สำนักงานใหญ่และศูนย์วิจัยและพัฒนา
ห้อง 4234 อาคาร 11 เลขที่ 1258 ถนนจินเฟิงใต้
เมือง Mudu เขต Wuzhong เมืองซูโจว มณฑลเจียงซู ประเทศจีน
สำนักงานขาย
เลขที่ 58 ถนน Keji 3 โซนไฮเทค เขตหยานต้า ซีอาน จีน
บริษัท เจียงซู หิมาลัย เซมิคอนดักเตอร์ จำกัด
ภาคผนวก: ตารางข้อมูลจำเพาะฉบับย่อ
| พารามิเตอร์ | Fabsil-LD31E (เลเซอร์) | Fabsil-WB31E (ตัด) |
|---|---|---|
| ขนาดเวเฟอร์ | 4", 6", 8" | 4", 6", 8" |
| ช่วงความหนา | 50–500 ไมโครเมตร | 50–500 ไมโครเมตร |
| ความแม่นยำที่สำคัญ | โฟกัส ≤ ±5 μm | ตำแหน่ง ±0.002 มม. |
| ความเร็วสูงสุด | 1000 มม./วินาที | 120 มม./วินาที |
| ความแม่นยำในการมองเห็น | ±0.5 ไมโครเมตร | 0.1 มม. (ตามรูปทรง) |
| วิธีการตัด/ผ่า | เลเซอร์พิโควินาที (GW/cm²) | การติดต่อสามจุด |
| ระบบอัตโนมัติ | คลิกเดียว + SECS/GEM | คลิกเดียว + SECS/GEM |
| ชั้นเรียนสิ่งแวดล้อม | คลาส 1000+ | คลาส 1000+ |



