Yarıiletken Üretimi için Vakum İyon İmplantasyon Sistemi

Vakum İyon İmplantasyon Sistemi, yarı iletken katkılama, yüzey modifikasyonu ve ince film üretimi için tasarlanmış yüksek hassasiyetli bir hızlandırıcıdır. 2"–8" wafer'ları destekler ve 5 keV ile 200 keV arasında hızlandırma enerjileriyle geniş bir yelpazede implante edilebilir iyonlar (B, P, As, Al, S, H, Mg, Si) sunar. Başlıca özellikleri arasında sığ bağlantılar için düşük enerjili implantasyon, yüksek sıcaklıkta işleme ve gelişmiş vakum mühendisliği yer almaktadır.

Bize Ulaşın

Ürün Detayları

İyon İmplantasyon Cihazı Teknik Genel Bakış

İyon ışını hızlandırması, kütle analizi ve vakum mühendisliğini birleştiren, yarı iletken katkılama, yüzey modifikasyonu ve ince film üretimi için yüksek hassasiyetli bir hızlandırıcı sistemi.

İyon implantasyonu.jpg -iyon implantasyon sistemi.jpg

Temel Özellikler

Parametre	Değer/Aralık
Hızlanma Enerjisi	5keV–200keV (tek değerlikli iyonlar)
Yonga Levha Uyumluluğu	2"–8" gofretler + düzensiz parçalar
İmplante Edilebilir İyonlar	B, P, As, Al, S, H, Mg, Si
Doz Doğruluğu	≤%1,5
Doz Aralığı	1×10¹¹–1×10¹⁶ atom/cm²
Eğim Açıları	0°, 7° (oda sıcaklığı); 0° (yüksek sıcaklık)

Ana Alt Sistemler

2. Ana Alt Sistemler

A. İyon Kaynağı Sistemi
Bileşenler:
● Plazma tabanlı iyon jeneratörü (örneğin, Freeman veya Bernas kaynağı)
● 5 katı kaynaklı buharlaştırıcı (700°C çalışma sıcaklığı)
● Katkı maddesi öncülleri için gaz dağıtım sistemi (örneğin, bor için BF₃)
Amaç: Belirli yük durumlarına sahip iyon türlerini üretmek ve ayıklamak.

B. Işın Hattı Optiği
1. Kütle Analiz Cihazı
● İyonları kütle/yük oranına göre seçmek için manyetik sapmayı kullanır (örneğin, ᴮ⁺ iyonunu ᴾ⁺ iyonundan ayırır).
3. Hızlanma/Yavaşlama
● Işın enerjisini dinamik olarak ayarlar (maksimum 200 keV → minimum 5 keV).
4. Işın Tarama
● Düzgün gofret kaplaması için elektrostatik veya manyetik tarama.

C.Vakum Sistemleri

Bölüm	Basınç Eşiği	Kritik Bileşenler
İyon Kaynağı	≤7×10⁻⁴ Pa	Turbo pompalar, kriyopanlar
Işın Taşıma	≤7×10⁻⁵ Pa	Dört kutuplu lensler, ışın kapıları
Son İstasyon	≤7×10⁻⁵ Pa	Yükleme kilidi, gofret taşıma robotları

Gelişmiş Yetenekler

● Düşük Enerjili İmplantasyon: Yavaşlatma sistemi, sığ bağlantılara olanak tanır (örneğin, FinFET'lerde ultra sığ doping için).
● Yüksek Sıcaklıkta İşleme: Kusur giderme için yüksek sıcaklıklarda 0° implantasyon (örneğin, SiC cihaz üretimi).
● Katı Kaynak Esnekliği: Buharlaştırıcılar, Al gibi refrakter malzemeleri destekler (III-V yarı iletkenlerde p tipi katkılama için).

Örnek Uygulama

CMOS kuyu oluşumu için 1×10¹⁵ atom/cm² dozunda 50 keV'de fosfor (ᴾ⁺) implantasyonu yapılarak 300 mm'lik wafer'lar boyunca %1'den daha düşük homojenlik elde edildi.

İyon implantasyon sistemi çalışma prensibi.jpg

Sektör Kıyaslaması Karşılaştırması

●Verim: Axcelis GSD/GPH serisiyle rekabet edebilecek düzeyde ancak Ar-Ge ölçeğinde esneklik için optimize edilmiştir.

●Enerji AralığıGeleneksel implant cihazlarına (örneğin Varian E500) kıyasla daha geniş düşük enerji kapasitesi.